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主题：关于形成碳化钨

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junjun8xuhao
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发表于：2011/06/28 20:49:30 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
悬赏金额：20积分 状态： 未解决
在Si基底上预溅了一层W，然后在W层上面沉积了一层碳纳米管薄膜，经700~900度，1~2h真空退火后，仍然没有检出有碳化物(WC、W2C)形成。

请问退火温度和时间应该在多少才能让碳纳米管中的C和底下的W层形成碳化钨呢？

有这方面的专家吗
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2011/6/30 23:38:17 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
你提高温度。做个实验啊。
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iangie
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2011/7/1 9:31:28 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
楼主, 这问题你得去找相关文献看了......
Tungsten Carbide 超硬, 我不相信1000度以下能烧成...可能薄膜比较特殊吧....
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frankwang2005
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2011/7/1 16:09:56 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
正常WC的形成温度应该在1300~1400度左右
按你们现有的处理温度,在处理前应该将W粉进行球磨活化(需要研磨约50H)
该帖子作者被版主 iangie加 5积分， 2经验，加分理由：欢迎, 常来XRD啊~
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junjun8xuhao
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2011/7/4 21:06:51 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
那再请问一下 碳和铬要形成铬碳化物是要在多少温度下？
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yuduoling
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2011/7/6 9:08:37 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
温度太低了
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