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主题：【已应助】急求助外文文献一篇

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发表于：2012/06/24 22:16:43 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
悬赏金额：10积分 状态： 已解决
【题  名】： Growth of InGaAs/GaAs quantum wells with perfectly abrupt interfaces by molecular beam epitaxy

【作  者】： Gerard

【期刊名全称】：Applied Physics Letters

【文献页码】：Volume62，Issue26:3452-3454，1993

【全文链接】: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=4880901&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D4880901

推荐答案：hstudent回复于2012/06/25
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2012/6/25 7:36:22 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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ApplPhysLett_62_3452.pdf
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2012/6/25 13:28:51 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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