不是这样的~呵呵,林老师,我倒觉得20kV在SEM上的确是对这个样品的最好条件。这个样品的孔径太小,常规SEM不容易分辨,而且孔道也很有可能由于二次电子的边缘效应而模糊掉。所以不如直接高加速电压打穿,用一部分BSE的反射率来突出孔道边界。这么小孔个分子筛,我觉得最好还是上200kV透射看了。。。
5500的分辨能力与生俱来,不会由于ASAHI的存在与否而变化~
林老师您再这么捧,Hitachi就该砍死我了。。。
透射和扫描不是一回事,20KV从给出的图片看确实过了,整个信号发散比较厉害孔表现模糊仅仅200K
这个倍率在4800上面都不应该是这样,何况5500.这样搞5500还有意义吗?样品孔径不大,但是样品的整体形态还有,应该是一个晶形样品,所以样品的结构还是比较稳定耐打的。这类样品都是比较好做的,5500不应该做成这样。
仪器还要人来用,就像过去的FEI应用我同样给一个不及格评价。
下面的介孔硅才是非晶态的KIT6,S-4800的表现,孔径应该更小不过也有5-6NM
结果也不比5500差呀,而且还是在6MM工作距离上做的,4800半内透镜,信号量应该比5500接收的要小。这都能应付。而且是在2011年底,我对仪器还没有完全掌握的情况下做的。不过就是现在我对4800好像还有没有认识完全的地方,学无止尽。