【序号】：1 【作者】：S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov,P.S. Kop'ev 【题名】： Molecular beam epitaxial growth of InSb/GaAs(100) and InSb/Si(100) heteroepitaxial layers (thermodynamic analysis and characterization) 【期刊】：Journal of crystal growth 【年、卷、期、起止页码】：1995;156(3):191-205. 【全文链接】：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0022024895003053
【序号】：2 【作者】：S.D. Wu L.W. Guo, Z.H. Li, X.Z. Shang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou 【题名】： Effect of the low-temperature buffer thickness on quality of InSb grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy 【期刊】：Journal of crystal growth 【年、卷、期、起止页码】：2005 277(1):21-25 【全文链接】：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202480402130X
【序号】：3 【作者】：J L Davis, P E Thompson and R J Wagner 【题名】： Growth and characterisation of InSb/GaAs grown using molecular beam epitaxy 【期刊】：Semicond. Sci. Technol. 【年、卷、期、起止页码】：1990 ;5 (3): 225-228. 【全文链接】：http://iopscience.iop.org/0268-1242/5/3S/050
【序号】：4 【作者】：E. Michel, J. D. Kim, S. Javadpour, J. Xu, I. Ferguson, and M. Razeghi 【题名】： The molecular beam epitaxial growth of InSb on (111)B GaAs 【期刊】：Appl. Phys. Lett. 【年、卷、期、起止页码】：1996;69 (27) 【全文链接】：http://apl.aip.org/resource/1/applab/v69/i2/p215_s1?isAuthorized=no
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