主题:【求助】Si粉当内标进行Rietveld全谱拟合进行晶胞参数精确测定

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jacky100
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本人以99%纯度的Si粉作为内标物,加入10%左右进入四氧化三钴中,目的是进行四氧化三钴晶胞参数的精确测定。运用topas4.2进行全谱拟合,以下是拟合图。





想请教对topas软件熟悉的朋友,在拟合过程中Si作为内标物,其晶胞参数为已知值(5.430)。我是将其值fix,不进行refine。但发现这样之后,Si粉的观测谱和计算谱有时会有偏差,体现在计算谱相对观测谱会有整体的左移右移。那这样对Si粉的晶胞参数进行fix之后,似乎起不到其作为内标物的作用(看不出有加Si粉和没加Si粉有什么区别)。我也不知道该怎么处理这过程,或者我拟合的该步骤就存在错误?请iangie或其他热心的朋友能否指点一二,不胜感激。
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Corrections 里面的Zero error 和sample displacement refine 没有?
翔施
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图谱整体左右移动,一般是样品高度有偏差,正如楼上说的矫正……
jacky100
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原文由 iangie(iangie) 发表:

Corrections 里面的Zero error 和sample displacement refine 没有?


有的。我选择了Zero error这一项refine。
jacky100
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原文由 翔施(v2653735) 发表:

图谱整体左右移动,一般是样品高度有偏差,正如楼上说的矫正……


是的。加入内标Si粉目的就是想要矫正因为样品高度偏差带来的误差,就是不知道该怎么进行全谱拟合才算是真正的校正了高度偏差,只要对Zero error或是sample displacement进行refine就算是进行校正了吗?
iangie
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是的。加入内标Si粉目的就是想要矫正因为样品高度偏差带来的误差,就是不知道该怎么进行全谱拟合才算是真正的校正了高度偏差,只要对Zero error或是sample displacement进行refine就算是进行校正了吗?


然也, silicon lattice parameter 校正sample displacement, sample displacement 会影响氧化钴的晶胞参数.
翔施
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原文由 翔施(v2653735) 发表:

图谱整体左右移动,一般是样品高度有偏差,正如楼上说的矫正……


是的。加入内标Si粉目的就是想要矫正因为样品高度偏差带来的误差,就是不知道该怎么进行全谱拟合才算是真正的校正了高度偏差,只要对Zero error或是sample displacement进行refine就算是进行校正了吗?


本人没实际操作过,理论上是你说的那样,矫正后,Si粉的峰位应该是跟理论值相同吧…
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