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主题：【求助】交流阻抗的电位设置问题

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zouzijidelu
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发表于：2006/09/20 22:43:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
最近在用交流阻抗研究金沉积过程,遇到一些问题,请教各位:
1.电位怎么设?
  很多人建议在开路电位或平衡电位下做,可我在开路电位下做的半圆出不来,还有研究金的沉积过程是不是要把电位设在沉积电位以下?还有平衡电位怎么测? 
  我的具体情况如下:
体系的开路电位 在0.6V(VS SCE),金的沉积电位在 0.2V,请问我如何设置电位?
是不是不断改变电位(开路电位以下),找出一个阻抗曲线(半圆)比较好的电位做?还是在低于0.2v下做?

2.不同体系的交流阻抗比较
  现要比较两种不同体系的交流阻抗,是不是要控制偏压一样就可以比较了?
比如说偏压为-0.1V(相对于开路电位)
  具体情况如下:
体系A: 开路电位 0.6V  金的沉积电位 0.2V
体系B: 开路电位 0.4V  金的沉积电位 0.1V

我如何设置比较好?

请高手赐教!谢谢各位!

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zouzijidelu
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2006/9/22 14:24:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
没人帮忙吗？
自己顶下
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old fox
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2006/9/28 11:21:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
在沉积电位下做实验，可以研究反应的具体细节，然后对比开路电位下的阻抗谱变化，也学会有意外发现吧。呵呵，我也是拷贝的别人的思想，曾经有人是这样研究光电池的。
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zouzijidelu
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2006/9/30 10:07:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
受教了,最近又进行了一些摸索,在开路电位下,电极表面的变化最小,金属沉积反应很少,而在沉积电位下,有大量的金属沉积,研究的是大量金属沉积过程
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