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主题：【悬赏帖】求几篇中文文献

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发表于：2017/05/20 20:30:29 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
悬赏金额：10积分 状态： 已解决
【序号】：1
【作者】：杨艳 薛晨阳 张斌珍 张文栋
【题名】：用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构
【期刊】：《半导体技术》 |
【年、卷、期、起止页码】：2006年 第2期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/91661X/200602/21049119.html
【序号】：2
【作者】：屠海令
【题名】：硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究
【期刊】：《中国工程科学》|
【年、卷、期、起止页码】：2000年 第1期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/83379X/200001/4587749.html

【序号】：3
【作者】：介万奇 李宇杰
【题名】：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制
【期刊】：《功能材料》 |
【年、卷、期、起止页码】：2004年 第z1期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/92397A/2004z1/1000313360.html

【序号】：4
【作者】：
【题名】：
【期刊】：
【年、卷、期、起止页码】：
【全文链接】：

【序号】：5
【作者】：杨瑞霞
【题名】：未掺杂LECGaAs的补偿机理及相关缺陷
【期刊】：《电子与自动化仪表信息》 |
【年、卷、期、起止页码】：1991年 第5期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/95792X/199105/472614.html

【序号】：5
【作者】：孙聂枫 赵有文 孙同年
【题名】：InP中的深能级杂质与缺陷（续）
【期刊】：《微纳电子技术》 |
【年、卷、期、起止页码】：2008年 第11期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/92139A/200811/28754267.html
推荐答案：hstudent回复于2017/05/20
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