主题:【原创】谁说全谱直读光谱仪测不好碳硫磷?CCD的升级产品来了

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xdz48
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        直读光谱仪发展到今天,从经典的PMT通道式到CCD全谱,谁优谁劣,可以说是各有优缺点。PMT具有极高
的灵敏度,对微量元素的分析更加精确,对紫外元素(C,S,P等)也具备绝对优势,但是体积大,成本高,增加通道
需要增加硬件成本;而CCD全谱光谱仪则具有体积小,通道设置灵活,增加通道无需增加硬件成本等优势,但是在
分析微量元素方面由于灵敏度不高无法分辨,另外针对紫外元素C,S,P的测试,由于CCD对深紫外区无感应,因此采
用了表面镀膜处理,但是镀层为有机膜,时间稍长就会老化,测试效果越来越差。
        今天向大家推荐一款最新的用CMOS检测的全谱直读光谱仪,这款CMOS光谱仪可以说是CCD的升级产品,既有
PMT的高灵敏度,又具备CCD的全谱特性。检测元件采用日本滨松公司专为广大仪器厂家最新研制的CMOS线阵传感
器,那么同为全谱光谱仪,CMOS相比较CCD有什么优点呢,我们一起来看看:
1. 更高灵敏度和更快的相应速度,扫描的峰值强度相比CCD可达10倍;
2. 在全量程范围内,线性比CCD更好,测量范围更宽;
3. CMOS具有紫外灵敏度,对非金属元素测量无需镀膜处理(下图为147nm时N元素的扫描峰值)

说了这么多,大家一定想看看这款CMOS全谱直读光谱仪的庐山真面目了:
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dyz
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看谱线图,灵敏度还是不够。激发光源条件还需要优化,不同的元素需要用不同的积分方式。
一步一部
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原文由 xdz48(xdz48) 发表: CMOS在紫外区不需要镀膜就可以直接检测,可以测140nm以上的波长,N元素可以测一级谱线
性能我知道,就是你给出的谱线图感觉有问题
xdz48
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原文由 一步一部(Ins_7fc5237a) 发表:
看了您哪个谱线图,CMOS与CCD是光谱仪在同一条件下做的么?CMOS与CCD的区别应该也不是您说的那样,还有您那分辨率,能确定N峰?若您是做光谱仪的,那N应该测不了。
CMOS在紫外区不需要镀膜就可以直接检测,可以测140nm以上的波长,N元素可以测一级谱线
一步一部
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看了您哪个谱线图,CMOS与CCD是光谱仪在同一条件下做的么?CMOS与CCD的区别应该也不是您说的那样,还有您那分辨率,能确定N峰?若您是做光谱仪的,那N应该测不了。
m3265443
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原文由 dyz(dyz) 发表:目前的背照式CMOS的性能确实比CCD好很多,远紫外部分的感光灵敏度比CCD高,综合比较,性能还是不如PMT,受尺寸限制,可以用于小型平场光栅结构短焦距的SPARKOES。以后几年里有可能会逐步代替CCD,但暂时不会代替PMT。
技术高人,不懂你在说什么。求科普
m3265443
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原文由 wccd(wccd) 发表:如果CMOS真是如同楼主所说的那么好的话,那直读光谱检测器又多了一员猛将,不过市场用户是最终的评判者!
说的对,吹再多不如测一测。让使用者说话。这帖子怎么成小厂家对喷了。
m3196461
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dyz
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新手级: 新兵
目前的背照式CMOS的性能确实比CCD好很多,远紫外部分的感光灵敏度比CCD高,综合比较,性能还是不如PMT,受尺寸限制,可以用于小型平场光栅结构短焦距的SPARKOES。以后几年里有可能会逐步代替CCD,但暂时不会代替PMT。
hsz123456
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实践是检验真理的唯一标准,唯有用户说的好才是真正的好。但愿CCD能早日超过PTMT.
wccd
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T5 主要技术参数
v  光学系统:帕型-龙格 罗兰圆全谱真空型光学系统
v  波长范围:140~680nm
v  光栅焦距:401mm
v  探 测 器:高性能CMOS阵列/CCD阵列
v  光源类型:数字光源,高能预燃技术(HEPS)
v  放电频率:100-1000Hz
v  放电电流:最大500A
v  工作电源:AC220V 50/60Hz 1000W
v  仪器尺寸:780*565*360mm
v  仪器重量:78kg
v  检测时间:依据样品类型而定,一般20S左右
v  电极类型:钨材喷射电极
v  分析间隙:4mm


v  其他功能:真空,温度,软件自动控制;压力,通讯监测


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