主题:【求助】半导体行业,单晶硅片表面如果磷元素含量过高,会对下游IC带来哪些影响?

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光哥
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原文由 DK666(Insm_fda1fab5) 发表: 感谢光哥的回复,感觉光哥提到的方向的确有逻辑,我也有想过,在片子没到客户手里,表面P含量高的话,会不会扩散到片子内部,影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”,“地基”如果有问题,盖的楼也会出问题,例如PN结失效,或者其他的问题,没有搜到相关的案例
原则上P应该不会高的,现在IC用的单晶硅片,纯度甚至可以达到11n。。。。。另外你可以搜索下“背吸杂”,看有没有参考意义。另外一个P在硅里面的分凝系数印象里是0.67还是多少来着,应该不太容易扩散进去吧?
光哥
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原文由 DK666(Insm_fda1fab5) 发表: 感谢光哥的回复,感觉光哥提到的方向的确有逻辑,我也有想过,在片子没到客户手里,表面P含量高的话,会不会扩散到片子内部,影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”,“地基”如果有问题,盖的楼也会出问题,例如PN结失效,或者其他的问题,没有搜到相关的案例
还是问问专业人士,我这连半桶水都算不上的。仅不供参考
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