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主题：【求助】半导体行业，单晶硅片表面如果磷元素含量过高，会对下游IC带来哪些影响？

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光哥
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2022/5/23 23:07:54 11楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 DK666(Insm_fda1fab5) 发表: 感谢光哥的回复，感觉光哥提到的方向的确有逻辑，我也有想过，在片子没到客户手里，表面P含量高的话，会不会扩散到片子内部，影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”，“地基”如果有问题，盖的楼也会出问题，例如PN结失效，或者其他的问题，没有搜到相关的案例
原则上P应该不会高的，现在IC用的单晶硅片，纯度甚至可以达到11n。。。。。另外你可以搜索下“背吸杂”，看有没有参考意义。另外一个P在硅里面的分凝系数印象里是0.67还是多少来着，应该不太容易扩散进去吧？
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光哥
xsh1234567
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2022/5/23 23:08:50 12楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 DK666(Insm_fda1fab5) 发表: 感谢光哥的回复，感觉光哥提到的方向的确有逻辑，我也有想过，在片子没到客户手里，表面P含量高的话，会不会扩散到片子内部，影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”，“地基”如果有问题，盖的楼也会出问题，例如PN结失效，或者其他的问题，没有搜到相关的案例
还是问问专业人士，我这连半桶水都算不上的。仅不供参考
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