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主题：【求助】关于DLTS深能级瞬态谱仪量测的样品前处理方法

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DK666
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发表于：2022/11/17 11:24:44 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
背景：半导体行业，样品为单晶抛光硅片，量测分析硅片体内的Fe、Cr、Ni、Cu元素的浓度，即单位为atoms/cm3

目前已知需要使用深能级瞬态谱仪进行量测，但是样品需制备成肖特基模型才可以进行量测

问题：基于单晶抛光硅片，如何制作肖特基模型，目前知道的一个方法是在晶圆表面溅射Ti金属层，进而形成PN结，但是找不到相应的机台。除此之外，还有什么别的方法吗？最好有推荐的机型，感谢
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2022/11/18 8:46:18 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
建议找供应商或者专门的半导体材料公司咨询下
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光哥
xsh1234567
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2022/11/18 18:29:03 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
体金属也用表金属的单位？感觉有点怪怪
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DK666
Insm_fda1fab5
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2022/11/27 17:32:33 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
体金属也用表金属的单位？感觉有点怪怪
光哥，是atoms/cm3，找到资源了，需要镀膜仪进行Ti金属镀膜后量测
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