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主题：【讨论】SiC可以做IGBT的讨论

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发表于：2023/12/08 14:20:16 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
SiC其实是可以做IGBT的，而我们看不到的原因是：因制备成本太高，且性能“过剩”，因此在大多数应用场合都“毫无竞争力”，因此目前无存活空间，所以你就基本看不到商业化的SiC IGBT了。

Si材料的Mosfet存在一个问题，即耐受电压能力高了芯片就会相应地变厚，导通损耗也就很高，所以硅材料的Mosfet一般只能做低压器件。SiC是一种宽禁带半导体材料，可以做到很高的耐压下芯片还很薄，而现在SiC的Mosfet可以做到6500V耐压，已经能覆盖现在的IGBT耐压水平了，且Mosfet的芯片结构比IGBT简单，所以目前没有必要用SiC来做IGBT浪费成本。除非以后需要10kV级别的器件才有可能考虑SiC的IGBT。不过其实SiCIGBT已经有了，但是只是在高耐压开关的场合小范围内使用，例如某些换流站和牵引站，目前还没有大规模的推广碳化硅的IGBT。因为很多场景不值当
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2023/12/23 1:53:21 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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