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主题：【创新】SSRM用一个扫描探针二维成像和大规模集成电路领域取得突破

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发表于：2007/05/10 22:08:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
日本东芝公司（Toshiba Corp.）于4月16日宣布，他们在电子载体通道以及半导体中的杂质成像方面取得了重大突破，这使得在1纳米尺度上的分析技术首次变得可能。这一基于扫描电阻显微镜（SSRM）的技术是实现下一代45纳米级别大规模集成芯片（LSI）等的关键性一步。
　　东芝公司将在国际可靠性物理年会（IRPS）上宣布他们的这一发现，这是目前正在美国Arizona凤凰城举行的国际半导体可靠性的大型会议。东芝计划在会议最后一天，当地时间4月19日发表这一突破性成果。
　　扫描电子显微镜是一种用来分析半导体表面的局域性二维电阻的理想方法，它能用于分析电子载体以及杂质。目前对于45纳米级别LSI的需求使得了解载体通道内的电子载体密度非常重要，而且需要能达到1纳米级别的精度，这是由于电特性方面的微小改变都会导致泄露和短路。
　　SSRM用一个扫描探针对半导体器件的载体进行二维成像。这些图像反映了导致电阻变化的杂质，并使得对电流路径分析变得可能。但是通过传统探针的高分辨SSRM精度只能维持在5纳米左右。
　　问题来源于两个方面：样品的水蒸气将影响成像精度，而且维持样品和探针间的稳定也很困难。为了克服以上问题，东芝将SSRM置于真空中，并精确定位了探针位置。这使得东芝公司达到了目前最高的分析精度：1纳米，这将用于45纳米LSI制造。

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