主题:【转帖】中国科学院技术科学部院士简介

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邹世昌

现有院士

  材料科学家。原籍江苏太仓,生于上海。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。中国科学院上海冶金研究所研究员。60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作,对技术路线进行优选决策。70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路,用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。1991当选为中国科学院院士(学部委员)。
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邹元爔

已故院士

  冶金和材料科学家。浙江平湖人。1937年毕业于浙江大学。 1947年获美国匹兹堡卡耐基理工学院博士学位。中国科学院上海冶金研究所研究员。50年代初,和周仁合作对包头含氟稀土铁矿高炉冶炼中氟的行为和冶炼过程进行了研究,解决了含氟铁矿高炉冶炼问题,使包钢得以投入全面开发。1957年承担了攀枝花铁矿炼试验任务,在国际上首先采用钒钛铁矿高炉冶炼新工艺,实现了风口喷吹新技术。60年代后致力于半导体材料和有关高纯金属及其物理化学研究。领导研制出高纯金属镓、磷、砷等,为我国高纯金属研究和生产奠定了良好的基础。致力于砷化镓材料质量的提高及缺陷的研究,用物理化学观点研究结构缺陷,提出砷化镓结构缺陷模型的新理论。1980当选为中国科学院院士(学部委员)。
海上生明月
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