主题:【讨论】低真空二次电子检测原理及探头类型

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zemb
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该帖子已被RENXIN设置为精华;
现在低真空(包括环境真空)电镜很时髦。本人想了解一下:
1、在低真空时,二次电子是如何检测的;
2、低真空二次电子探测器由哪些类型及其各自的特点。
3、低真空下二次电子像分辨率到底有多高?能和高真空一样吗?
我想很多同仁也都会对此感兴趣。
望资深大侠不吝传教。
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看看这个图就知道原理了,一般钨灯丝的在3nm左右,场发射的能到1.8nm,是观察不导电样品比较好的工具.
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低真空二次电子检测器也分很多类型, 不光是    JEOL的  LFD (LARGE FIELD DETECTOR), FEI的 也叫  LFD。LFD利用的是  一块 电子板式的收集  原件。
其它的低真空检测器类型还有 光导管式的, 针式的等等。
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原文由 jeolzxj 发表:
JEOL是没有LFD的,他们只有用BEI探头在低真空看.

那能否请您讲以下  BEI探头的原理呢
jeolzxj
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原文由 RENXIN 发表:
原文由 jeolzxj 发表:
JEOL是没有LFD的,他们只有用BEI探头在低真空看.

那能否请您讲以下  BEI探头的原理呢[/q
不好意思,这个问题好象不是你应该问的,但是如果你确实想知道的话,可以看看以前的帖子.
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真是及时雨啊
谢谢楼主了
希望以后能够更多的交流学习
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原文由 RENXIN 发表:
原文由 jeolzxj 发表:
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JEOL是没有LFD的,他们只有用BEI探头在低真空看.

那能否请您讲以下  BEI探头的原理呢[/q
不好意思,这个问题好象不是你应该问的,但是如果你确实想知道的话,可以看看以前的帖子.

找了半天没看到关于 JEOL BEI低真空探头的相关帖子,请麻烦指点一下

等了这麽长时间也没有讲解,好失望。
kapabulanka
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原文由 jeolzxj 发表:
看看这个图就知道原理了,一般钨灯丝的在3nm左右,场发射的能到1.8nm,是观察不导电样品比较好的工具。


我有一个比较弱的问题, 请高人指点!
二次电子的能量很低,如何能够将气体分子电离呢?
气体分子的分解物会不会污染样品的表面使图像变黑呢?
期待您的回复。
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看来确实有很多人对这张图看不懂,再顶置,请发图人讲解一下。
kapabulanka
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看懂了一部分,探测器施加了正电场,给二次电子加速。作环扫时如何能够保证环境气体的洁净呢?真空度低时样品表面的污染会不会很快。会不会同低电压时一样,样品很快变黑。
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