主题：【求助】长时间不加液氮后能谱的性能?

原文由 tianzhen 发表:
我们的能谱是今年5月份安装的,验收时加了一次液氮、八月份又加过一次，今天又加了一次，今天加上液氮后我有别的事就没做，还不知道能不能用。平时都是不用能谱的也不加液氮的，从认坛上看到很多帖子在说能谱不加液氮就会导致性能下降甚至损坏，特别是我今天看了有关SDD的报导，我更害怕了，因为我们的能谱是用的锂漂移硅。我想不加液氮对能谱仪肯定是不好的，大家给我一个答案，是不是就如论坛上说的那么可怕，千万不要吓我啊！

原文由 tianzhen 发表:
我今天做能谱了,结果没问题,但是心里还是很害怕,以后我们的能谱用的机会还是不会太多,就如三楼问的问题一样,我该如何保护我的能谱?加液氮费用不是问题,关键是麻烦,我们是高校,而且是科研任务不太多的高校,假期电镜就会关掉.我知道加液态是最好的办法.

另我想问一个问题:锂漂移硅中锂的电子的迁移是不是真的是不可逆的?如果是不可逆的话,它的电子去了哪里?

原文由 kapabulanka 发表:
我们的能谱也有半年没有加液氮了，但愿不要出问题。如果能谱长时间不用，有没有什么好的保护方法。

原文由 tianzhen 发表:
我们的能谱是今年5月份安装的,验收时加了一次液氮、八月份又加过一次，今天又加了一次，今天加上液氮后我有别的事就没做，还不知道能不能用。平时都是不用能谱的也不加液氮的，从认坛上看到很多帖子在说能谱不加液氮就会导致性能下降甚至损坏，特别是我今天看了有关SDD的报导，我更害怕了，因为我们的能谱是用的锂漂移硅。我想不加液氮对能谱仪肯定是不好的，大家给我一个答案，是不是就如论坛上说的那么可怕，千万不要吓我啊！

原文由 tao______ 发表:
是锂离子的迁移，到硅死层表面去鸟！
找到了一些SDD和Si(Li)的区别供参考：具体出处已经记不清楚了，这不是本人原创，是转的别人的。
硅(锂)[ Si(Li)]探测器，也叫硅锂漂移探测器。是在P型硅表面蒸发一层金属锂并扩散形成PN结，然后在反向电压和适当温度下使锂离子在硅原子之间漂移入硅中，由于锂离子很容易吸引一个自由电子而成为施主，从而与硅中的P型（受主）杂质实现补偿而形成高阻的本征层(探测器的灵敏区)。硅(锂)探测器的特点是灵敏层厚度可以做得相当大（3-10毫米），因而探测器电容也能够小一些，探测效率高，但是必须在液氮冷却下才能工作和长期保存（因为在室温下锂离子的扩散已经不能忽略不计，锂离子扩散的结果必然导致在制备硅(锂)探测器时达到的精密补偿被破坏，而在液氮温度下锂离子的扩散是可以忽略不计的。），一般说来其能量分辨、高计数率性能、使用方便性、体积和价格等性能都不如硅漂移探测器。请注意：硅锂漂移探测器和硅漂移探测器是两种不同的探测器，硅锂漂移探测器是因为在制造过程中采用了锂离子漂移补偿的方法而得名，而硅漂移探测器则是射线产生的载流子（电子-空穴对）中的电子先必须漂移到阳极区以后才能形成可以测量的电信号（硅漂移探测器中空穴对电信号没有贡献）而得名。硅漂移探测器的原理和制备过程与硅(锂)探测器截然不同，硅漂移探测器灵敏区的所有表面都有高质量的二氧化硅保护层，同时硅漂移探测器中也没有锂离子，更没有锂离子扩散的问题，因而硅漂移探测器在室温下没有变坏的问题。

原文由 tianzhen 发表:
我今天做能谱了,结果没问题,但是心里还是很害怕,以后我们的能谱用的机会还是不会太多,就如三楼问的问题一样,我该如何保护我的能谱?加液氮费用不是问题,关键是麻烦,我们是高校,而且是科研任务不太多的高校,假期电镜就会关掉.我知道加液态是最好的办法.

另我想问一个问题:锂漂移硅中锂的电子的迁移是不是真的是不可逆的?如果是不可逆的话,它的电子去了哪里?