主题:【悬赏帖】固体核磁碳谱如何判断是否是边带峰

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我这测试的两个不同的样品主峰两边都有两个对称的峰,不会两个都是边带峰吧??。求大佬解答。
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边带峰的位置:边带峰的位置与测试时的转速有关。转速越高,边带峰通常越小,且离样品峰越远。边带峰通常对称地出现在样品峰的两侧,并且它们的位置是旋转频率的倍数 。
边带峰的大小:边带峰的大小与样品的特性有关。有些样品可能几乎没有边带峰,而有些样品的边带峰可能非常明显 。
边带峰的形态:边带峰的形态通常与样品峰相似,但强度较低。在一些情况下,边带峰可能因为重叠而难以区分 。
转速的影响:通过改变转速,可以观察到边带峰的变化。如果提高转速,边带峰会变小并且远离样品峰,这有助于区分样品峰和边带峰 。
边带抑制技术:使用边带抑制技术,如TOSS(Total Suppression of Spinning Sidebands)可以抑制边带峰,从而获得没有边带峰干扰的谱图。通过比较抑制前后的谱图,可以帮助识别边带峰 。
化学位移:边带峰的化学位移通常与主峰的化学位移相近,但因为它们是由样品旋转产生的,所以它们的位置会根据旋转频率的倍数而变
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原文由 123(m3149125) 发表:边带峰的位置:边带峰的位置与测试时的转速有关。转速越高,边带峰通常越小,且离样品峰越远。边带峰通常对称地出现在样品峰的两侧,并且它们的位置是旋转频率的倍数 。边带峰的大小:边带峰的大小与样品的特性有关。有些样品可能几乎没有边带峰,而有些样品的边带峰可能非常明显 。边带峰的形态:边带峰的形态通常与样品峰相似,但强度较低。在一些情况下,边带峰可能因为重叠而难以区分 。转速的影响:通过改变转速,可以观察到边带峰的变化。如果提高转速,边带峰会变小并且远离样品峰,这有助于区分样品峰和边带峰 。边带抑制技术:使用边带抑制技术,如TOSS(Total Suppression of Spinning Sidebands)可以抑制边带峰,从而获得没有边带峰干扰的谱图。通过比较抑制前后的谱图,可以帮助识别边带峰 。化学位移:边带峰的化学位移通常与主峰的化学位移相近,但因为它们是由样品旋转产生的,所以它们的位置会根据旋转频率的倍数而变
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