主题：【求助】有人能告诉我XRF中液氮冷却与电子冷却之间的区别和影响吗？

原文由 nameylf 发表:
对于Si（Li）半导体探测器，液氮没有了，最直接的后果是分辨率变差，特别是没有液氮了还进行加电操作。

原文由 zmx3213 发表:

原文由 nameylf 发表:
液氮致冷和电子致冷都是针对探测器来说的，X光管的致冷一般的情况是：小功率时采用风冷就可以满足要求，大功率时一般采用油冷或水冷。
对于探测器的致冷来说，最主要的功能是降低半导体探测器和第一级场效应管的热噪声（也称为白噪声）。在较早时间，半导体探测器一般是采用Si（Li）半导体探测器，这种探测器只能用液氮来致冷；后来发展到更新的制造工艺，即Si-PIN型和SDD型，这两种探测器可以用液氮致冷，也可以用半导体致冷；也就是说，现在的半导体探测器的生产工艺（Si-PIN和SDD）能够保证在-40°C以下时，噪声水平就可以满足实际需要。液氮致冷的最大的问题是维护成本较高，因为液氮随时都在消耗中，不管你的仪器是否在使用；而且对于Si（Li）半导体探测器来说，一旦液氮没有了，对探测器的损害是无法逆转的，因此，维护风险较高。现在，半导体致冷技术已经非常成熟，并且已经得到广泛的应用。至于噪声水平的问题，半导体致冷的Si-PIN探测器和SDD探测器已经完全满足需要，没有必要在此问题做过多的追究。目前，日系的仪器大多都采用液氮致冷方式，欧美和国内的仪器大多采用半导体致冷方式，原因不得而知。但个人认为，无论从技术水平，还是从实际使用的效果来看，半导体致冷的探测器明显优于传统的液氮致冷方式。
另外，顺便纠正一下楼上的错误，液氮不是惰性气体，液氮指的是液化了的氮气。

请教一下：液氮空了对探测器有哪些损害？厂家好像没提过这事，EDX－720。

原文由 lijiu1019 发表:

原文由 tonyan2000 发表:
应该说是对于能量色散X荧光光谱仪使用的半导体检测中硅漂移检测器使用的冷却方式，Si(Li)检测器需要将其冷却到-88摄氏度以后 检测器的背景信号才比较良好，其背景信号和温度的关系很大。液冷的效果是很好的，但是操作不方便，而且容易冻伤手。现在改进的帕尔贴制冷（电制冷）的SDD检测器也不错的。不清楚Si(Li)检测器现在的电制冷能做到什么地步，原先听热电人忽悠 感觉有点悬。而且热电的那款仪器定价偏高。

谢谢你哦。。。呵呵，那主要是说液氮是用来冷却detector咯。。是不是fisher用的是电子冷却？

原文由 george 发表:

原文由 gutianhong 发表:
原先听热电人忽悠 感觉有点悬。而且热电的那款仪器定价偏高。

也有同感，目前感觉应该是SDD检测器比较领先一点。

原文由 masterhou 发表:

原文由 nameylf 发表:

原文由 haha8421 发表:

原文由 nameylf 发表:

原文由 haha8421 发表:

原文由 nameylf 发表:
对于Si（Li）半导体探测器，液氮没有了，最直接的后果是分辨率变差，特别是没有液氮了还进行加电操作。

可以明确跟您讲,如果Si(Li)检测器没有液氮,根本没办法工作又何来的分辨率差之说?其实如果长时间不工作的Si(Li)检测器,只要加入液氮,等他冷却下来自然就没事了,长时间不使用,需要关注的是X光管,而不是检测器.

你说的有些道理。一般情况下，仪器在液氮容器里会加装一个传感器，防止在无液氮的情况下进行加电操作，但这种连锁装置也会有失效的风险，本人就曾经遇到过这种情况，因此，风险总是存在的。关于Si（Li）半导体探测器的问题，我们也可以进行更深入的讨论，大家可以各抒己见，总会有一个正确的结论。

你说的这中风险太小了,一般来说传感器坏了,不工作了,仪器警报灯会亮,仪器就不能工作了.而实际上,Si-PIN检测器最大毛病还是在于测试稳定性不够,特别是重金属样品.不管是那中情况,如果要从性能上比较,不管哪个方面Si-PIN不可能比的过Si-Li.所以说Si-PIN的检测器最大的优势,也就是唯一的优势就在于他的电制冷.但是通常电制冷的方式跟对环境要求很高,如果实验室环境不好,灰尘很多,影响制冷效果,检测器很容易坏,而目前Si-pin检测器寿命长的也只有3年左右,我期待Si漂移检测器的效果.希望能改善Si-PIN检测器分辨率差的问题,同时稳定性又有Si-Li检测器的效果.简单的说,希望Si漂移检测器有Si-Li检测器的效果,同时又不需要液氮的冷却.

哈哈，我喜欢这样的技术讨论。发表几个看法，希望你不要介意：
1、你谈到“Si-PIN检测器最大毛病还是在于测试稳定性不够,特别是重金属样品”，这是不对的，探测器的稳定性与探测什么样品是没有关系的，本身对探测器的评价有一些确定的指标，例如：分辨率、能量响应曲线、计数率响应、最高计数率、峰位漂移、峰背比、噪声水平、探测厚度、面积、铍窗厚度，等等，这些指标都是探测器固有的，并不因为测量对象的不同而改变。
2、半导体致冷并不会因为灰尘问题而造成致冷效果变坏，因为致冷单元是和探测器、场效应管等部件做在一起的，完全是在真空密封的环境中，如果有灰尘进入到这些部件里面，探测器早就坏了。
3、目前，从技术上来说，Si-PIN探测器的寿命问题没有确切的试验数据，但按照有关资料来看，Si-PIN的寿命在5—10年，或者按照光子数目计算，在10的12次方量级。
4、对于分辨率指标问题，目前Si（Li）和Si-PIN都是在150ev左右，并没有什么差别。况且，单纯讨论分辨率没有任何意义，因为分辨率和成型时间、计数率等条件都有直接的关系，真正有意义的数据是所有技术指标的综合评价。
以上是本人的看法，欢迎各位参与讨论。

虽然我对技术的东西不是很懂，但有机会听很多专家的讲课！
首先我想问一句：谁说Si Pin 的技术比Si Li的高？？做技术的人说出这样的话，感觉很好笑！
Si-Pin 的能量分辨率可以达到150EV？？？我不知道你是怎么算出来的，Si-Pin技术什么时候可以达到这样的水平？？真是会吹牛

原文由 rodgerfei 发表:
受益匪浅，喜欢这样的讨论，在我这个入门者看来各有对错
haha同学确实要激动些，没必要

还有，想请问一下各位专家，XRF的探测器和EDS的探测器是不是很大程度上可以通用的呢