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主题：【求助】厚度为100nm的SiO2层对厚度为30nm的Si层的明、暗场、高分辨像影响大吗？

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yanghaigui
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发表于：2008/01/16 09:00:49 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我的样品结构为：100nmSiO2/30nmSi/150nmSiO2/Si基底，要研究中间30nmSi层的属性。
减薄样品的时候是从Si基底开始的，从后用离子减薄，是单面减薄，顶层的100nmSiO2应该还留在样品的表面，　我想请教一下厚度为100nm的SiO2层对厚度为30nm的Si层的明、暗场、高分辨像影响大吗？如果影响很大，怎么处理，因为100nmSiO2比较薄，用离子减薄时间比较难控制吧！难道先用化学方法腐蚀掉。
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2008/1/16 17:11:13 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
100nm的SiO2对成像起的贡献远大于30nm的Si。制样我不太清楚，但是这么单面减，边缘最薄的地方应该都是SiO2了吧？想通过平面样品获得Si层哪些信息？对于多层膜，还是截面样品比较多。
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2008/1/16 19:24:22 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
继续请教，我们主要想做观察Si里的缺陷，怎么做样品比较好啊
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2008/1/16 21:37:28 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
一般情况下应用截面样品，分析界面处晶格失配，应变，统计位错密度等。晶格失配会导致位错。
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