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主题：【求助】关于ICP-OES测多晶体硅样品杂质的前处理方法

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yuwanbing
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2008/4/20 23:42:47 11楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
学习的哈！
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jchencs
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2008/4/22 5:24:21 12楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 linda207 发表:
原文由 jchencs 发表:
这个太麻烦, 我是直接用0.5g Si + 5ml HNO3 +5 ml HF消解, 在加去离子水至50ml,然后测试,样品半小时就做好. 注意HF每次只能加1ml, 反映很剧烈, 要等到反映静下来后才加.


以上提到的只是溶样过程吧，是否有进一步蒸干、赶HF？


不用进一步蒸干、赶HF，直接用耐HF的雾化器测量即可。蒸干、赶HF时会损失B，如果要测量B，不可以蒸干、赶HF。
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mengming
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2008/10/15 10:52:22 13楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
样品含有硅，加HF后硅就以SiF4形式蒸发掉，那就不能测硅了，该怎么消解此催化剂。
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