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主题：【原创】硅中的杂质测量方法比拼

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jchencs
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发表于：2008/05/04 23:07:26 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
目前硅中的杂质测量主要的方法有ICP-OES, ICP-MS, GDMS. 手头上有不少上述方法测量结果的对比数据，最近对这些数据进行了仔细的分析，另外还和国际上的同行进行了交流，基本上总结出了各种方法的优缺点。 理论上测量精度是ICP-OES < ICP-MS < GDMS. 但在实际测量中根据样品的情况，不同的样品适用不同的测量方法。当样品的纯度较低时，如冶金级的硅，用ICP-OES较好， 测试速度快，费用低。当样品的纯度较高时，如果样品中杂质分布均匀，用GDMS较好，当样品中杂质分布不均匀时，由于GDMS测试取样体积很小，易造成误差，此时用ICP-MS较好。具体来说，如果硅是用CVD, PVD之类快速凝固方法制取，则为杂质均匀分布，如果硅是用熔炼-冷却之类慢速凝固方法制取，则杂质分布不均匀，GDMS反而不如ICP和ICP-MS方法准确。所以我们准备买一台ICP-MS测量我们的硅锭，但不知ICP-MS测硅中杂质B和P时具体的检测限是多少？望有知道的大侠指点。
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2008/5/5 11:23:23 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
B的检出限应该在2－10个ppt，P的应该在20－100ppt
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zhangzjun
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2008/5/5 11:45:14 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
这位老兄，可否留个联系方式，有事请教，我的e-mail:zhangzjun@126.com
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jchencs
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2008/5/5 21:24:16 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 popo 发表:
B的检出限应该在2－10个ppt，P的应该在20－100ppt


谢谢回复。请问这是什么厂家的仪器？什么型号？是否只是理论值？在硅为背底样品时能否还能保持这个检出限？

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jchencs
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2008/5/6 2:10:39 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 popo 发表:
B的检出限应该在2－10个ppt，P的应该在20－100ppt


下表是网上找到的PE ELAN 6000/6100 quadrupole ICP-MS各元素的检出限表，B和P的检出限都在0.1-1 ppb范围，要高于上面提到的值, 所以不知到底哪一个是对的。另外，这些都是理论值，在实际测量中，要下降到多少？

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2008/5/6 4:28:15 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 zhangzjun 发表:
这位老兄，可否留个联系方式，有事请教，我的e-mail:zhangzjun@126.com


已给你打过电话。
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shaweinan
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2008/5/6 9:56:39 7楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 popo 发表:
　　B的检出限应该在2－10个ppt，P的应该在20－100ppt

原文由 jchencs 发表:
　　下表是网上找到的PE ELAN 6000/6100 quadrupole ICP-MS各元素的检出限表，B和P的检出限都在0.1-1 ppb范围，要高于上面提到的值，所以不知到底哪一个是对的。另外，这些都是理论值，在实际测量中，要下降到多少？



　　因为ICP的电离能力有限，所以对于B和P的检测能力应该明显不如金属元素。
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光哥
xsh1234567
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2008/5/14 16:45:03 8楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
GDMS对硅料里面的硼元素，单测的结果并不是很好，和其他的分析检测手段包括物理方法的检测，经常存在对不上的情况。
也许还需要再改进吧？
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jchencs
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2008/5/15 0:04:04 9楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 xsh1234567 发表:
GDMS对硅料里面的硼元素，单测的结果并不是很好，和其他的分析检测手段包括物理方法的检测，经常存在对不上的情况。
也许还需要再改进吧？


GDMS的主要问题是取样体积很小，易造成误差。
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zhangzhoumin
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2008/6/19 10:26:06 10楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
B\P的检测限好象没有你说的那么低，低含量的Ｂ＼Ｐ的用低温红外光谱检测
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xuchuan
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2008/6/21 8:43:52 11楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
ICP-MS目前只有三家在比拼，即PE，热电，安捷伦。但本人感觉最好的当属PE的DRC系列，但你做半导体，其它两家也可以考虑。最主要是样品处理时候不要玷污。水，试剂，容器都很重要。处理样品时候，注意B别跑了
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