主题：【谱图】各位老师、达人伴我看一下我的XRD结果

你有什么不懂的直接在论坛问就可以了
很多老师都是没有qq的
用MSN
谢谢理解

从附件来看楼主已经做了一定的分析工作，而且具备一定的分析基础。
但不知道楼主想知道什么信息，因为楼主没有明确提出自己的问题。

comments:
1、如果想定量知道你的材料结构，通过薄膜样品的XRD来分析将是不令人信服的。对于一个未知材料，第一步就直接生长薄膜非常不可取的，弄不好几年之后你仍然对自己的薄膜是否是个理想材料没有信心。这条忠告来自我本人的教训，听不听由你。

2、就事论事，楼主给的样品XRD，要想大家做多些讨论，请给出基体信息，是多晶还是单晶，如果是后者，是Si(111)还是Si(100)？是否有过渡层？当然，从各图的对比我猜测是Si(111)，因为28度附近的强峰应该属于Si(111)；
3、薄膜中的择优取向和应变，将会使结构分析带来不确定性。分析未知的所谓的SiCN，从薄膜着手非常冒险。为了确定其结构，建议合成高质量的粉末先！

我有些怀疑楼主提到的SiCN是以前没人研究过的，所以我检索了一下，据我的检索结果，虽然只有一条记录(1965)，但确实有人研究过，而且是单晶。楼主是幸运的，至少能有个晶体结构可以参考，参考信息如下：

data for  ICSD #28391
Coll Code  28391
Rec  Date  1980/01/01
Mod  Date  2006/04/01
Chem Name  Silicon Carbide Nitride (1/1/1/)
Structured  Si C N
Sum        C1 N1 Si1
ANX        AXY
D(calc)    4.34

Title      Silicon carbide crystals grown in nitrogen atmosphere
Author(s)  Kawamura, T.
Reference  Mineralogical Journal (Japan)
            (1965), 4, 333-355

Unit Cell  4.35885 4.35885 4.35885 90. 90. 90.
Vol        82.82
Z          4
Space Group F -4 3 m
SG Number  216
Cryst Sys  cubic
Pearson    cF12
Wyckoff    d c a
Red Cell    F  3.082 3.082 3.082 59.999 59.999 59.999 20.705
Trans Red  0.500 0.500 0.000 / 0.000 0.500 0.500 / 0.500 0.000 0.500
Comments    If grown in N2-atmosphere a=4.3592
            Prepared at 50 percent argon and 50 percent 50 per cent
            Nitrogen pressure
            The structure has been assigned a PDF number: 74-2308
            Polytype structure 3C
            Structure type : AlLiSi
            No R value given in the paper.
            At least one temperature factor missing in the paper.
Atom  #  OX  SITE      x          y          z          SOF      H
Si  1  +4    4 a  0          0          0              1.        0   
C    1  -2    4 d  0.75        0.75        0.75          1.        0   
N    1  -2    4 c  0.25        0.25        0.25          1.        0   
*end for    ICSD #28391

附上相关cif和模拟粉末衍射的dat文件，请楼主参照分析。
顺便说一下，以上数据对应的pdf卡片号码是 74-2309，请对照分析。

SiCN_lihuai7818-xrd.rar

说实话我的能力有限，有些地方不懂，所以我还想问的是：
1.你前面的英文部分;是不是对SiCN的理论计算模型的构建
2.你的XRD图谱是你模型的模拟结果吗？
3.那其中的三个峰就是SiCN的三强峰吗？
4.说真的，我见过别人关于SiCN的理论模型，但我没有见过真正的关于它的XRD峰的位置的具体描述
5.在一个关于你说的pdf卡片号码是 74-2309，我的XRD分析软件没有，我用的可能和你不一样，而且连我做XRD的老师都说没有该标准卡，我不知道他为什么这么说。
6.我还想问你一个核心的问题：在XRD谱图里面我们一般能得到什么信息，我知道就是：1.能得到该物质在那个晶相择优生长（看峰强），二是看其结晶情况（半峰宽越小，结晶越好）。我想问还能得到什么。。。？
谢谢了！

希望各位懂得前辈指点指点，谢谢了！

原文由 qyd 发表:
说实话我的能力有限，有些地方不懂，所以我还想问的是：
1.你前面的英文部分;是不是对SiCN的理论计算模型的构建
2.你的XRD图谱是你模型的模拟结果吗？
3.那其中的三个峰就是SiCN的三强峰吗？
4.说真的，我见过别人关于SiCN的理论模型，但我没有见过真正的关于它的XRD峰的位置的具体描述
5.在一个关于你说的pdf卡片号码是 74-2309，我的XRD分析软件没有，我用的可能和你不一样，而且连我做XRD的老师都说没有该标准卡，我不知道他为什么这么说。
6.我还想问你一个核心的问题：在XRD谱图里面我们一般能得到什么信息，我知道就是：1.能得到该物质在那个晶相择优生长（看峰强），二是看其结晶情况（半峰宽越小，结晶越好）。我想问还能得到什么。。。？
谢谢了！

楼主的这些没必要的疑问说明4楼中给出的rar附件好像没有被好好看……

74-2309确实存在。

我给出的是simulation的结果，4楼图中也指明了。具体的实验结果请不妨查找并仔细阅读以下文献：
Title Silicon carbide crystals grown in nitrogen atmosphere
Author(s) Kawamura, T.
Reference Mineralogical Journal (Japan)
(1965), 4, 333-355