主题:【讨论】大家用荧光测F都是用些什么条件呀,准不准呀?

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蓝侧卫
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我们的机(ARL9900)用30KV,80MA,计数1min,测连铸渣建F的检量线,测出来十分的差,不知大家有没有好的见解



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ljzllj
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30KV 80mA测F应该可以了呀。
对轻元素来说,你的样品的制备情况就显得更加重要了。
你的样品是金属固体,表面的平滑度对轻元素的影响也很大,像F,C这种轻元素,它们的强度都是在样品表面测得的。
因此建议你能把样品处理的更好点。
蓝侧卫
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原文由 ljzllj 发表:
30KV 80mA测F应该可以了呀。
对轻元素来说,你的样品的制备情况就显得更加重要了。
你的样品是金属固体,表面的平滑度对轻元素的影响也很大,像F,C这种轻元素,它们的强度都是在样品表面测得的。
因此建议你能把样品处理的更好点。


你们测F条件大概怎么设,样品是处理要很小心吗?
ljzllj
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原文由 zghkmj 发表:
原文由 ljzllj 发表:
30KV 80mA测F应该可以了呀。
对轻元素来说,你的样品的制备情况就显得更加重要了。
你的样品是金属固体,表面的平滑度对轻元素的影响也很大,像F,C这种轻元素,它们的强度都是在样品表面测得的。
因此建议你能把样品处理的更好点。


你们测F条件大概怎么设,样品是处理要很小心吗?

可以参考下UniQuant里的条件呀,30KV,80mA可以了
ayaku
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应该是用的熔片制样法吧,F的测量强度太低了,是造成误差大的原因。若用熔片法,应尽可能的选用较低的温度、熔融时间及稀释比,用较大的激发电流来测量。
蓝侧卫
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原文由 ayaku 发表:
应该是用的熔片制样法吧,F的测量强度太低了,是造成误差大的原因。若用熔片法,应尽可能的选用较低的温度、熔融时间及稀释比,用较大的激发电流来测量。


温度的高低对F的熔片有影响吗? F会被挥发吗?
ayaku
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熔融过程是复杂的,机理很难说清楚。F的挥发问题争议是很大的。卤族元素不熔于硼酸盐,对分析表面来说,制样要求还是很高的。
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