原文由 renxin 发表:
请问 SHXIE斑竹, 在 TEM上 做 EBSD 和在 SEM上 主要区别在哪里呢
一般说来是SEM上得到EBSD的花样吧,EBSD的主要原理是因为背散射电子的产率对于晶体来说和入射束及晶格之间的夹角有关。
具体说来,沿晶面方向进入物质则背散射得率低,否则信号强。
一般来说这种衬度的产生只在样品的表面20-30nm处,制备样品要注意除去任何污染,并通过化学或者电化学处理消除机械损伤。
具体的EBSD介绍可以看我上载的那个EBSD的powerpoint文件:
http://www.instrument.com.cn/show/download/shtml/010774.shtml