主题:【求助】EDX如何激发出Ta的Mζ Mγ峰?

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xibinke
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查Ta M系的Ec是1.735KeV,而M系的Mβ Mζ Mγ M2-N4能量分别为1.770,1.331,1.968和2.226,样品是Si substrate上的Ta薄膜,Mβ可能无法分辨,但为什么我把电压加到15KV仍然看不到Ta的Mζ Mγ M2-N4呢?
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fengyonghe
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1    加速电压用4—5千伏,束流束斑尽量大
2    电子束穿透薄膜会出现Si-K线系,和Ta-M线系重叠。
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xibinke
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Ta的Ma,Mβ可能与Si的Ka重叠,但是Mζ Mγ应该不会重叠呀
jzhx68
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查Ta M系的Ec是1.735KeV,而M系的Mβ Mζ Mγ M2-N4能量分别为1.770,1.331,1.968和2.226,样品是Si substrate上的Ta薄膜,Mβ可能无法分辨,但为什么我把电压加到15KV仍然看不到Ta的Mζ Mγ M2-N4呢?


为何一定要看到Ta的Mζ Mγ M2-N4,这些谱峰有特殊意义吗?
xibinke
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为何一定要看到Ta的Mζ Mγ M2-N4,这些谱峰有特殊意义吗?


需要区别Ta与Si,如有其它峰可以表征Ta的也可
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为何一定要看到Ta的Mζ Mγ M2-N4,这些谱峰有特殊意义吗?


需要区别Ta与Si,如有其它峰可以表征Ta的也可


如果仅仅为了区分这两种元素看Ta 的La线的峰吧,这样简单多了
xibinke
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查Ta M系的Ec是1.735KeV,而M系的Mβ Mζ Mγ M2-N4能量分别为1.770,1.331,1.968和2.226,样品是Si substrate上的Ta薄膜,Mβ可能无法分辨,但为什么我把电压加到15KV仍然看不到Ta的Mζ Mγ M2-N4呢?


为何一定要看到Ta的Mζ Mγ M2-N4,这些谱峰有特殊意义吗?


需要区别Ta与Si,如有其它峰可以表征Ta的也可


如果仅仅为了区分这两种元素看Ta 的La线的峰吧,这样简单多了


Ta的L系Ec为9.881KeV,加速电压需要20~30KV,一般SEM提供不了这么高的加速电压,但是Ta的Mζ Mγ 与Si的Ka是相似的,理论上应该可以激发出来
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为何一定要看到Ta的Mζ Mγ M2-N4,这些谱峰有特殊意义吗?


需要区别Ta与Si,如有其它峰可以表征Ta的也可


如果仅仅为了区分这两种元素看Ta 的La线的峰吧,这样简单多了


Ta的L系Ec为9.881KeV,加速电压需要20~30KV,一般SEM提供不了这么高的加速电压,但是Ta的Mζ Mγ 与Si的Ka是相似的,理论上应该可以激发出来


为何电镜的加速电压达不到20~30KV?电镜老了?还是当初购机时要求加速电压在20~30KV以下?
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查Ta M系的Ec是1.735KeV,而M系的Mβ Mζ Mγ M2-N4能量分别为1.770,1.331,1.968和2.226,样品是Si substrate上的Ta薄膜,Mβ可能无法分辨,但为什么我把电压加到15KV仍然看不到Ta的Mζ Mγ M2-N4呢?


为何一定要看到Ta的Mζ Mγ M2-N4,这些谱峰有特殊意义吗?


需要区别Ta与Si,如有其它峰可以表征Ta的也可


如果仅仅为了区分这两种元素看Ta 的La线的峰吧,这样简单多了


Ta的L系Ec为9.881KeV,加速电压需要20~30KV,一般SEM提供不了这么高的加速电压,但是Ta的Mζ Mγ 与Si的Ka是相似的,理论上应该可以激发出来


为何电镜的加速电压达不到20~30KV?电镜老了?还是当初购机时要求加速电压在20~30KV以下?


跑题儿了,老兄,我们设备主要是用来in-line测试的,而且要求电压不能过高,否则可能破坏device function
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