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主题：【已应助】求助外文文献2篇

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发表于：2010/06/04 23:24:19 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
【序号】：1
【作者】：G. Brill
【题名】：Dislocation Reduction of HgCdTe/Si Through Ex Situ Annealing
【期刊】：Journal of Electronic Materials
【年、卷、期、起止页码】：2010年3月23日
【全文链接】：http://www.springerlink.com/content/yw6v181276611326/

【序号】：2
【作者】：G. Badano
【题名】：Reduction of the dislocation density in molecular beam epitaxial CdTe(2 1 1)B on Ge(2 1 1)
【期刊】：Journal of Crystal Growth
【年、卷、期、起止页码】：Volume 312, Issue 10, 1 May 2010, Pages 1721-1725 【全文链接】：http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TJ6-4YC2XP3-B&_user=10&_coverDate=05%2F01%2F2010&_rdoc=1&_fmt=high&_orig=search&_sort=d&_docanchor=&view=c&_searchStrId=1359104399&_rerunOrigin=google&_acct=C000050221&_version=1&_urlVersion=0&_userid=10&md5=c494d59d6af10476d1c95b91595f2101
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2010/6/4 23:29:52 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
2222Reduction of the dislocation density in molecular beam epitaxial
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Reduction of the dislocation density in molecular beam epitaxial.pdf
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2010/6/4 23:30:45 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
111111Dislocation Reduction of HgCdTe/Si Through Ex Situ Annealing
附件：
Dislocation Reduction of HgCdTe Si Through Ex Situ Annealing.pdf
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2010/6/4 23:36:14 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
谢谢了
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