主题:【讨论】XRF测SiO2时稳定性为什么不好呢?

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sangni
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我用熔片法建了一条玻璃的工作曲线其中SiO2含量在50%-60%之间,建好后用一个片连续测量10次,发现SiO2的绝对误差在0.25%左右,这个误差范围我觉得比较大,这是仪器的问题吗?是什么原因造成的呢?其他元素又相差不是很大
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whoami
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荧光强度是多少?测量时间够吗?如果样品中没有未知元素,不仿将SiO2做为基体
XRF_INFO
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原文由 sangni(sangni) 发表:
我用熔片法建了一条玻璃的工作曲线其中SiO2含量在50%-60%之间,建好后用一个片连续测量10次,发现SiO2的绝对误差在0.25%左右,这个误差范围我觉得比较大,这是仪器的问题吗?是什么原因造成的呢?其他元素又相差不是很大


你的问题应该可以解决,把Si的测量时间延长一点,如测量30秒或40秒,应该就好了。另,Si是用PET晶体测量的,这块晶体受温度影响比较大,你仪器房间的温度最好恒定,一小时的变化温度不要超过2度。现在,Si也可以用XS-CEM晶体测定,这个晶体比PET晶体更稳定。
金水楼台先得月
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我也遇到Si测定不是很稳定,有时绝对误差能达到0。5
sonne86400
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sangni
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不是呀,我们主要是要把SiO2能做的很精确,可熔片法的误差都是比较大的了,想做的更精确些,有没有其他方法?
金水楼台先得月
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原文由 sangni(sangni) 发表:
不是呀,我们主要是要把SiO2能做的很精确,可熔片法的误差都是比较大的了,想做的更精确些,有没有其他方法?


化学方法吧
xulaoq
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原文由 xulaoq(xulaoq) 发表:
SiO2测量时间我们一般要用80S。

你的准确度能做到多少?
xulaoq
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金水楼台先得月
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原文由 xulaoq(xulaoq) 发表:
我测Si的量都较少,10ppm的偏差内。

、、你测多低含量的Si呀?
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