为回答
l_a_lakers版友上次提的问题(我想请问还有关于塞曼校正及氘灯扣背景的操作及原理扫盲帖),这期的扫肓贴推出背景校正技术,此贴为总结和拼凑所得,仅对于原理方面的阐述,水平有限,请版友们指正,也欢迎各版友提问题,征集扫盲贴主题,PE
原吸的版主和专家歇诚为你们解答,当然水平有限,希望能对你们有所帮忙,大家互相学习交流,壮大PE
原吸版面。
背景校正技术
AAS仪中已有氘灯和碘钨灯连续光源背景校正、塞曼效应背景校正和空心阴极灯强脉冲自吸背景校正等方法。其中塞曼效应校正背景还衍生出几种不同的磁场调制与排列方式。以下介绍各种背景方法要点。
连续光源背景校正:这是现代AAS仪中应用最广泛的一种AAS仪器背景校正方法,尤其在FAAS中,它占有相当重要地位。其原理为:用待测元素HCL的辐射作样品光束,测量总的吸收信号,用连续光源(多用是氘灯)的辐射作参比光束,在同一波长下测量吸收值。对连续背景,它对HCL和连续光源辐射有相同的吸收,待测原子对连续光源也有吸收,但由于元素分析线很窄,不到通带宽度的1%,故可以忽略,连续光源所测值可视为纯背景吸收,光辐射交替通过原子化器,两次所测吸光值相减使背景得到校正。在实际使用时,要求精心调配使氘灯连续光源和HCL锐线光源强度匹配,并尽可能使光斑重合一致。近年,Jena公司通过设计氘空心阴极灯的几何形状和成象光学部件,使两种辐射光束穿过完全相同的吸收体积,有效地避免了因双灯源的采用,而带来的光学平衡问题。由于氘灯 在长波范围(大于350.0nm)内能量较低,要与碘钨灯配合适用。该法应用波段有限制,有时还产生背景校正过度或不足。如果共存物的原子对通过单色器的连续辐射产生吸收,会出现补偿过度现象。连续光源背景校对FAAS较好,对GFAAS效应不佳。
自吸效应背景校正:自吸效应背景校正法,又称S-H法,其原理:以低电流脉冲供电。空心阴极灯发射锐线光谱,测的
原子吸收与背景吸收的总吸光度,以短时高电流脉冲供电发射线产生自吸效应,辐射能量由于自吸变宽而几种与原波长的两侧。不为原子蒸气所吸收,所测为背景吸收值。将两值相减得到校正后的
原子吸收值。这种方法是简单和成本低,能校正某些结构背景与原子谱线重叠干扰,无光能损失,可以进行全波长校正但许多元素不能产生自吸,两种脉冲电流下HCL谱线宽度有差别,校正不够精确,有些元素如Al、Ca、Sr、Ba、V 等其灵敏度降低,检出限变差,强脉冲电流影响HCL的寿命,该法仅适用于FAAS法。对GFAAS法效果不明显,基本上作为其他校正法的补充。
塞曼效应背景校正:这种背景校正的基础是:吸收线在磁场作用下,产生分裂成平行磁场 π组分和垂直于磁场α+、α-组分。偏振组分α+、α-有中心波长位移,若频移足够大时,不为待测物所吸收,测量的只是背景吸收,若恒定磁场调制方式,π组分和背景吸收所测吸光值为
原子吸收于背景吸收的总吸收值。若是交变磁场调制方式,当磁场关闭时,吸收相不发生分裂。所测吸光值为
原子吸收于背景吸收的总值。将两种测定值相减(即
原子吸收与背景吸收总值减去背景吸收值)可以使背景得到校正。目前商品仪器有两大类:恒定磁场(固定磁场)和交变磁场,可配置于光源上或原子化器。近年来,以配置在GFAAS较多,火焰应用较少。恒定磁场往往塞曼效应谱线分裂不完整,而降低测量的准确性 。 同时仪器灵敏度往往低于正常AAS的一半。永久磁长期使用会退磁。若采用旋转偏振器,会出现某种程度不平衡,使背景校正能力下降,由于上述缺陷,仪器公司采用横向交流交变磁场吸收线调制法。但如果交变磁场强度不够,工作曲线出现反转。最近有公司开发纵向交流交变磁场,省略可偏振元件,使分析动态范围大大拓宽。从仪器使用考虑,选择应用横向交流塞曼效应较好,这种系统具有最佳双光束性能,背景校正能力高而准确,线性和灵敏度于常规AAS相类似,检出限比连续光源背景校正器好。分析(工作)曲线反转问题较少。能全波段背景校正。近来有仪器公司推出了3-磁场塞曼效应背景校正技术,该模式除高磁和零磁场之外,还有第三个中间磁场强度,可根据被测浓度要求,通过软件选择最佳中间磁场强度可使动态范围扩展10倍。
此外,还有组合式扣背景,指的是采用以上两种以上的扣背景技术。如PE
原吸仪器,其火焰法用的是氘灯扣背景,石墨炉用的是塞曼扣背景。自吸效应扣背景比较少见。
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