http://www.chinaptp.com/zlk/patent/zx003ZLTLb03/zx003ZLTLb030026.htm
B030026.世界最新电容器制造技术专利大全(中文)
第一套题录
电容器及其制造方法(美国-共46页)
电容器及其制造方法(美国-共14页)
表面安装的多层电容器(美国-共17页)
叠层电容器存储单元及其制造方法(美国-共12页)
薄膜电容器的形成(美国-共64页)
氮化铌粉及铌电解质电容器(美国-共48页)
多位沟道电容器(美国-共18页)
超小型电容器阵列(美国-共18页)
一种用一连续顶部电极匹配电容器阵列的改进的布局技术(美国-共15页)
流体可变电容器(美国-共19页)
形成在半导体衬底上的精密高频电容器(美国-共22页)
含有硼硅酸钡锂助熔剂的钛酸镁锌粉末和由其制成的多层陶瓷COG电容器(美国-共20页)
半导体器件的包封金属结构及包括该结构的电容器(美国-共20页)
制作多晶硅-多晶硅/MOS叠层电容器的方法(美国-共14页)