主题:【求助】新手请教探测器分辨率问题!谢谢!

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njalvin
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原文由 p_nicholas(p_nicholas) 发表:
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        看书时有几句话不理解。
        1,为什么探测器面积愈小,分辨率愈好?
        2,面积固定情况下,时间常数增加,光子测量量得更准,相应的分辨率也更好,为什么?
        求高手指点下!
        不胜感激!


个人理解时间常数增加,则指数衰减越平缓,对于模拟多道来说更容易精确的找到峰值,而对于数字多道检测技术来说,梯形成型后,梯形的平顶部分更平滑,从而提高了检测精度,自然分辨率也会更好。当然为了得到更好的分辨率,在数字多道检测技术中可以选择增加梯形成型时间来实现,这样造成的后果就是死时间会急剧上升。

多谢大神啊!
njalvin
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原文由 金水楼台先得月(albert800922) 发表:
针对能量Si-PIN探测器,探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄,分辨率越高。
能量分辨率与脉冲成型时间常数呈一种极小值曲线分布,故有时适当
选择稍大的脉冲成型时间常数,可有较高的能量分辨率。


新手,对与  “ 探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄”的逻辑关系不能理解,版主能不能推荐些材料?谢谢!
njalvin
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        看书时有几句话不理解。
        1,为什么探测器面积愈小,分辨率愈好?
        2,面积固定情况下,时间常数增加,光子测量量得更准,相应的分辨率也更好,为什么?
        求高手指点下!
        不胜感激!


个人理解时间常数增加,则指数衰减越平缓,对于模拟多道来说更容易精确的找到峰值,而对于数字多道检测技术来说,梯形成型后,梯形的平顶部分更平滑,从而提高了检测精度,自然分辨率也会更好。当然为了得到更好的分辨率,在数字多道检测技术中可以选择增加梯形成型时间来实现,这样造成的后果就是死时间会急剧上升。


检测精度好,分辨率就好,可以这样理解不/?


影响分辨率的因素有很多,诸如探测器本身的理想分辨率,目前SSD探测器理论上能达到125ev,而Si-PIN只能达到145ev。
检测技术本身,抛开检测技术本身,其它相同条件下,数字多道相比模拟多道分辨率会好10%以上。
之前说到的检测精度仅仅是为了说明,梯形的平顶越光滑(平滑),则自然精度越高,相对来说分辨率也会稍好
波斯猫
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金水楼台先得月
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        看书时有几句话不理解。
        1,为什么探测器面积愈小,分辨率愈好?
        2,面积固定情况下,时间常数增加,光子测量量得更准,相应的分辨率也更好,为什么?
        求高手指点下!
        不胜感激!


个人理解时间常数增加,则指数衰减越平缓,对于模拟多道来说更容易精确的找到峰值,而对于数字多道检测技术来说,梯形成型后,梯形的平顶部分更平滑,从而提高了检测精度,自然分辨率也会更好。当然为了得到更好的分辨率,在数字多道检测技术中可以选择增加梯形成型时间来实现,这样造成的后果就是死时间会急剧上升。


检测精度好,分辨率就好,可以这样理解不/?


影响分辨率的因素有很多,诸如探测器本身的理想分辨率,目前SSD探测器理论上能达到125ev,而Si-PIN只能达到145ev。
检测技术本身,抛开检测技术本身,其它相同条件下,数字多道相比模拟多道分辨率会好10%以上。
之前说到的检测精度仅仅是为了说明,梯形的平顶越光滑(平滑),则自然精度越高,相对来说分辨率也会稍好


具体这些还是书上的,是否有人做这方面的研究,有这方面的实验数据。
p_nicholas
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        看书时有几句话不理解。
        1,为什么探测器面积愈小,分辨率愈好?
        2,面积固定情况下,时间常数增加,光子测量量得更准,相应的分辨率也更好,为什么?
        求高手指点下!
        不胜感激!


个人理解时间常数增加,则指数衰减越平缓,对于模拟多道来说更容易精确的找到峰值,而对于数字多道检测技术来说,梯形成型后,梯形的平顶部分更平滑,从而提高了检测精度,自然分辨率也会更好。当然为了得到更好的分辨率,在数字多道检测技术中可以选择增加梯形成型时间来实现,这样造成的后果就是死时间会急剧上升。


检测精度好,分辨率就好,可以这样理解不/?


影响分辨率的因素有很多,诸如探测器本身的理想分辨率,目前SSD探测器理论上能达到125ev,而Si-PIN只能达到145ev。
检测技术本身,抛开检测技术本身,其它相同条件下,数字多道相比模拟多道分辨率会好10%以上。
之前说到的检测精度仅仅是为了说明,梯形的平顶越光滑(平滑),则自然精度越高,相对来说分辨率也会稍好


具体这些还是书上的,是否有人做这方面的研究,有这方面的实验数据。


我说的这些都是建立在实验数据之上的。抛开理论值,其余的数据都是有实验数据支撑的。
zbb1982
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针对能量Si-PIN探测器,探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄,分辨率越高。
能量分辨率与脉冲成型时间常数呈一种极小值曲线分布,故有时适当
选择稍大的脉冲成型时间常数,可有较高的能量分辨率。


新手,对与  “ 探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄”的逻辑关系不能理解,版主能不能推荐些材料?谢谢!


X荧光成型时间越长,线形氛围越窄,是指成型时间长了,记数率会上不去,记数率太底对样品的分析有限制,比如说一个含铁50%和杂质的标样,如果记数率是1000,那么其中每秒产生500个记数,测试为10秒,总的记数就为5000个,如果说我的记数率是10000,那么每秒产生5000个,10秒后的总记数50000个,如果我们认为含量0的记数为0的话,那么记数率为1000的线形范围就窄了,有些含量根本没办法区分,做出来的曲线只有越陡,分析范围才会越广,我是那么认为的。请大家指教。
该帖子作者被版主 albert8009222积分, 2经验,加分理由:应助
波斯猫
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针对能量Si-PIN探测器,探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄,分辨率越高。
能量分辨率与脉冲成型时间常数呈一种极小值曲线分布,故有时适当
选择稍大的脉冲成型时间常数,可有较高的能量分辨率。


新手,对与  “ 探测器面积越小,谱峰成型时间越长,线形范围窄”的逻辑关系不能理解,版主能不能推荐些材料?谢谢!


X荧光成型时间越长,线形氛围越窄,是指成型时间长了,记数率会上不去,记数率太底对样品的分析有限制,比如说一个含铁50%和杂质的标样,如果记数率是1000,那么其中每秒产生500个记数,测试为10秒,总的记数就为5000个,如果说我的记数率是10000,那么每秒产生5000个,10秒后的总记数50000个,如果我们认为含量0的记数为0的话,那么记数率为1000的线形范围就窄了,有些含量根本没办法区分,做出来的曲线只有越陡,分析范围才会越广,我是那么认为的。请大家指教。

其实也就是曲线作成后,如果可以通过原点,拟合系数越接近1,所作成的曲线方法就是更好的。
金水楼台先得月
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        1,为什么探测器面积愈小,分辨率愈好?
        2,面积固定情况下,时间常数增加,光子测量量得更准,相应的分辨率也更好,为什么?
        求高手指点下!
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个人理解时间常数增加,则指数衰减越平缓,对于模拟多道来说更容易精确的找到峰值,而对于数字多道检测技术来说,梯形成型后,梯形的平顶部分更平滑,从而提高了检测精度,自然分辨率也会更好。当然为了得到更好的分辨率,在数字多道检测技术中可以选择增加梯形成型时间来实现,这样造成的后果就是死时间会急剧上升。


检测精度好,分辨率就好,可以这样理解不/?


影响分辨率的因素有很多,诸如探测器本身的理想分辨率,目前SSD探测器理论上能达到125ev,而Si-PIN只能达到145ev。
检测技术本身,抛开检测技术本身,其它相同条件下,数字多道相比模拟多道分辨率会好10%以上。
之前说到的检测精度仅仅是为了说明,梯形的平顶越光滑(平滑),则自然精度越高,相对来说分辨率也会稍好


具体这些还是书上的,是否有人做这方面的研究,有这方面的实验数据。


我说的这些都是建立在实验数据之上的。抛开理论值,其余的数据都是有实验数据支撑的。

这类实验是如何做的?
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