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qingqing-juan
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发表于：2012/03/09 21:18:38 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
【序号】：1
【作者】： J.F. Valtueña, A. Sacedón, A.L. Alvarez, I. Izpura, F. Calle, E. Calleja, G. MacPherson, P.J. Goodhew, F.J. Pacheco, R. García, S.I. Molina
【题名】：  Influence of the surface morphology on the relaxation of low-strained InxGa1 − xAs linear buffer structures
【期刊】： Journal of Crystal Growth
【年、卷、期、起止页码】： Volume 182, Issues 3–4, 2 December 1997, Pages 281–291
【全文链接】：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024897003771
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2012/3/9 21:20:49 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
凑字数，凑字数。
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