原文由 julich(julich) 发表:
这个问题要从两方面来看:(1)透射电镜的电压要比扫描电镜高得多,高能电子对样品,尤其是高分子材料或者生物样品的热损伤是很大的,因为电子束轰击在样品上绝大部分能量会转变成热能,从而造成热损伤。这也是为什么生物电镜大都是120kV;(2)但是同时扫描电镜在拍照过程中,电子束在样品上慢扫描停留时间要比透射电镜长得多,从这个角度扫描的损伤又大一些!
到底什么影响大,关键是看样品,如果是导电性非常差的样品,还是透射影响大一些。因为即使是扫描看导电、导热非常差的样品,电压从1kv降到0.5kv,都能明显感觉样品的变形要小得多,这说明电压的影响是巨大的。
原文由 julich(julich) 发表:
这个问题要从两方面来看:(1)透射电镜的电压要比扫描电镜高得多,高能电子对样品,尤其是高分子材料或者生物样品的热损伤是很大的,因为电子束轰击在样品上绝大部分能量会转变成热能,从而造成热损伤。这也是为什么生物电镜大都是120kV;(2)但是同时扫描电镜在拍照过程中,电子束在样品上慢扫描停留时间要比透射电镜长得多,从这个角度扫描的损伤又大一些!
到底什么影响大,关键是看样品,如果是导电性非常差的样品,还是透射影响大一些。因为即使是扫描看导电、导热非常差的样品,电压从1kv降到0.5kv,都能明显感觉样品的变形要小得多,这说明电压的影响是巨大的。
原文由 asahi42(asahi42) 发表:原文由 julich(julich) 发表:
这个问题要从两方面来看:(1)透射电镜的电压要比扫描电镜高得多,高能电子对样品,尤其是高分子材料或者生物样品的热损伤是很大的,因为电子束轰击在样品上绝大部分能量会转变成热能,从而造成热损伤。这也是为什么生物电镜大都是120kV;(2)但是同时扫描电镜在拍照过程中,电子束在样品上慢扫描停留时间要比透射电镜长得多,从这个角度扫描的损伤又大一些!
到底什么影响大,关键是看样品,如果是导电性非常差的样品,还是透射影响大一些。因为即使是扫描看导电、导热非常差的样品,电压从1kv降到0.5kv,都能明显感觉样品的变形要小得多,这说明电压的影响是巨大的。
首先,生物样品选择120kV是因为生物样品主要由C/H/O/N等轻元素组成,加速电压越低,衬度越好。和热损伤关系并不大。
其次,SEM中,电子束成锥形,锥底束斑在样品表面按照设定模式扫描,所以,每个时刻,样品上除了电子束经过的那个点,其它点都不受电子束影响。而TEM在常规观察(非STEM和衍射模式)时,电子束以平行光束形式穿过样品,每个时刻,光束范围内样品上的每个点全部经受照射。所以,TEM样品暴露在电子束下的时间比SEM要长。
样品导电与否,TEM并不在意。因为SEM一般利用的是SE,而SE最怕荷电;TEM用的是BSE,基本不受荷电影响。
SEM和TEM是完全不同的成像模式,不可生搬硬套。
原文由 asahi42(asahi42) 发表:我以为120KV是因为对样品的损伤要小一些……
首先,生物样品选择120kV是因为生物样品主要由C/H/O/N等轻元素组成,加速电压越低,衬度越好。和热损伤关系并不大。
其次,SEM中,电子束成锥形,锥底束斑在样品表面按照设定模式扫描,所以,每个时刻,样品上除了电子束经过的那个点,其它点都不受电子束影响。而TEM在常规观察(非STEM和衍射模式)时,电子束以平行光束形式穿过样品,每个时刻,光束范围内样品上的每个点全部经受照射。所以,TEM样品暴露在电子束下的时间比SEM要长。
样品导电与否,TEM并不在意。因为SEM一般利用的是SE,而SE最怕荷电;TEM用的是BSE,基本不受荷电影响。
SEM和TEM是完全不同的成像模式,不可生搬硬套。