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主题：【第六届原创】山外青山楼外楼~Helios Nano Lab 650 (Magellan)华丽登场

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linzq
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2013/1/20 23:18:36 31楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
谢谢林老师的讲解！漏电能力如何理解？

漏电能力和样品的大小，形态等有关系。一般来说样品比较小、形态比较紧密电荷一般只会在表面边缘很容易通过边缘跑掉。所以说结晶体一般荷电都容易处理。松软的样品，样品整体的连续性不好要是样品还很大、很厚，几个微米，漏电子能力就较差，荷电就很容易在样品中堆积而跑不掉。松散堆积的样品即便是导电性很好的银，也会产生荷电。薄样品很容易给比较大的加速电压打透，形成漏电通路。

下面给两个实例。导电性好的样品银棒，松散堆积后荷电也不可避免的出现

在旅馆上网，网速太差，传图片太费事。就先传这一张
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2013/1/20 23:25:17 Last edit by linzq
小M
mitchell_dyzy
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2013/1/25 12:28:52 32楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 linzq(linzq) 发表:
谢谢林老师的讲解！漏电能力如何理解？


漏电能力和样品的大小，形态等有关系。一般来说样品比较小、形态比较紧密电荷一般只会在表面边缘很容易通过边缘跑掉。所以说结晶体一般荷电都容易处理。松软的样品，样品整体的连续性不好要是样品还很大、很厚，几个微米，漏电子能力就较差，荷电就很容易在样品中堆积而跑不掉。松散堆积的样品即便是导电性很好的银，也会产生荷电。薄样品很容易给比较大的加速电压打透，形成漏电通路。

下面给两个实例。导电性好的样品银棒，松散堆积后荷电也不可避免的出现

在旅馆上网，网速太差，传图片太费事。就先传这一张

明白了，谢谢林老师！和平时的体验很接近，但是没用总结出。银这个例子举得很好，以前没用注意过，确定不是氧化等其他因素导致的荷电吗？
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Amy_luo
v2678410
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2013/1/25 16:49:23 33楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
等着楼主的CBS的比较呢
加油啊
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lala2003
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2013/2/4 22:51:13 34楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
FEI不亏是行业老大，透射做到头，开始做扫描了
现在高端扫描估计也没得选了
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天黑请闭眼
shxie
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2013/2/20 12:30:08 35楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
后续比较结果有否？
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fengyonghe
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2013/2/20 15:23:31 36楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 linzq(linzq) 发表:
谢谢林老师的讲解！漏电能力如何理解？


漏电能力和样品的大小，形态等有关系。一般来说样品比较小、形态比较紧密电荷一般只会在表面边缘很容易通过边缘跑掉。所以说结晶体一般荷电都容易处理。松软的样品，样品整体的连续性不好要是样品还很大、很厚，几个微米，漏电子能力就较差，荷电就很容易在样品中堆积而跑不掉。松散堆积的样品即便是导电性很好的银，也会产生荷电。薄样品很容易给比较大的加速电压打透，形成漏电通路。

这段总结很精辟呀，像银、鉻这样的导体如果是松散的粉末堆在一起也是不导电的。但是金粉例外，松散的金粉是导电的。
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asahi42
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2013/2/20 16:42:43 37楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:
后续比较结果有否？


这个。。。暂时还没有~
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天黑请闭眼
shxie
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2013/2/21 23:12:33 38楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 asahi42(asahi42) 发表:
原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:
后续比较结果有否？


这个。。。暂时还没有~


辛苦！不要紧，我还有几年才退休呢。
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cvbs11
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2013/2/27 9:29:04 39楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
Helios NanoLab™ 50 系列双束(DualBeam) 仪器结合了最先进的扫描电子显微镜 (SEM) 和具有创新气体化学方法、探测器和操纵器的聚焦离子束 (FIB) 技术



Electron beam resolution @ optimum WD
- 0.8 nm at 30 kV (STEM)
- 0.8 nm at 15 kV
- 0.8 nm at 2 kV
- 0.9 nm at 1 kV SAT
- 1.5 nm at 200 V
Electron beam resolution @ coincident point
- 0.8 nm at 15 kV SAT
- 0.9 nm at 5 kV

拥有世界最高分辨率 (XHR) 的扫描电子显微镜，即Magellan XHR 扫描电子显微镜，这是一部可以在不同角度和在1-30kv范围内用小于一纳米分辨率进行三维表面成像的仪器



Electron beam resolution
• (site survey required to determine attainable resolution)
• Resolution @ optimum WD
–– 0.8 nm at 15 kV
–– 0.8 nm at 2 kV
–– 0.9 nm at 1 kV
–– 1.5 nm at 200 V
• Resolution @ coincident point
–– 0.8 nm at 15 kV
–– 0.9 nm at 5 kV
–– 1.2 nm at 1 kV
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gaominghen
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2013/9/16 14:48:25 40楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
莫非真要等退休？
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