原文由 chauchylan(chauchylan) 发表:
如何对Spark-OES的自吸或自蚀效应进行数学校正?
对较高含量的合金元素进行Spark-OES光谱分析时,通常其最灵敏线存在自吸或自蚀效应,如何建立数学模型对其进行校正?
对于OES来说,通常会选择其灵敏线作为分析线,其对微量元素有较低的检出限和较高的准确度,但如果测量元素含量较高,谱线就会自吸甚至自蚀,造成工作曲线弯曲,测量准确性下降,此时一般都是另外选择次灵敏线进行分析。
如果仪器内部没有配置另外高含量通道的话,就比较麻烦了,但我觉得大家平常使用的谱线是普遍存在自吸的,只要不是特别严重,在恰当的浓度范围内使用稍微弯曲的曲线也没什么问题的。
在摄谱分析中,也存在自吸的问题,见过有人有
谱线宽度法测量不同含量的银,不是直接测量谱峰位置的强度,而是先进行谱线扫描,记录下谱峰左右两侧对应的某一相同强度的位置差,绘制位置差与浓度的工作曲线,进而提高了浓度测量范围。在Spark-OES光谱分析中,建立数学模型对谱线的自吸进行校正,暂时未看到这方面的报道,如果有的话,是否可以拓宽灵敏线的测量范围呢?拭目以待啊