主题:请问:peltier半导体致冷的详细原理,相关资料何处有?

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xinyang
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请问:peltier半导体致冷的详细原理,相关资料何处有?
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rfu
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1.    半导体致冷原理:把一个N型和P型半导体的粒子用金属连接片<br>
焊接而成一个电偶对。当直流电流从N极流向P极时,2.3端上产生<br>
吸热现象,此端称冷端而下面1.4端产生放热现象,此端称热端如<br>
果电流方向反过来,则冷热端相互转换。由于一个电偶产生热效应<br>
较小(一般约 IKcal/h)所以实际上将几十。上百对电偶联成的<br>
热电堆。所以半导体的致冷-一吸热示日放热是由载流子(电子和<br>
空穴)流过结点,由势能的变化而引起的能量传递这是半导体致冷<br>
的本质。<br>
2.半导体致冷过程:电子由负极出发经过金属片--流向P点4--到P<br>
型-再流向P点3--结点金属片--从结点2--到达N型--再返过结点1<br>
--到达金属片回到电源正极。由于左半部是P型,导电方式是空<br>
穴,空穴流动方向与电子流动方向相反,所以空穴是结点3金属片<br>
--P型--结点4金属片--到电源负极。结点4金属中的空穴具有的能<br>
量低于P型中空穴能量,当空穴在电场作用下要从3到达P型,必须<br>
要增加能量,并把这部分势能转蛮为空穴的垫能.因而在结点3处<br>
的1金属被冷却下来,当空穴流向4时,金属片曲于P型中空穴能量<br>
太子金属中空穴的能量,因而要释放多余的势能,要将热放出来这<br>
4处的金属片是被加热。右半部是N型,与金属片联接是靠自由电子<br>
导电的,而在结点2金属中势能低于N型电子势能,当自由电子在电<br>
场作用1电子通过结点2到达N型时必然要增加垫能,这部分势能只<br>
能从金属片势能取得,同时必然使结点2金属片冷下来。当电子由N<br>
型流向结点1金属片时,由于电子从势能较高的地方流向势能低<br>
处,故要释放多余的垫能.并变成热能,在结点1处使金属片加<br>
热,是热端。<br>
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