主题:【求助】关于s-4800

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gaominghen
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请问各位:

              4800安装的上下探头都是二次电子探头吗?还是别的什么探头?下探头能接受背散射电子,是不是下探头是BSED?上探头接收二次电子,是不是就是ETD?望达人指教,谢谢!
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fengyonghe
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gaominghen
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我记得参加日立用户高级培训的时候,我问过他们的应用工程师:“4800上的下探头观察样品时,为什么会有立体感?”工程师说:“我觉得是下探头是从侧面收集信号的,因为是从侧面看的,所以会有凹凸感”。不知道她这样讲对不对?还有4800的下探头是不是BSED探头?谢谢老师!
小M
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上探头是In-lens,不同厂家的仪器,叫法有点不一样,功能类似与TLD?下探头类似于ETD?

下探头应该不是背散射探头,ETD也可以接受背散射电子,一般成像也是混合成像85%SE+15%BSE

这个asahi42应该很清楚,两家都待过。打问号的是我的猜测,不确定。
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2013/10/17 11:19:29 Last edit by mitchell_dyzy
gaominghen
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fengyonghe
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二次电子像的立体感来源于边缘效应,上探头因包含有背散射电子,立体感降低了。
gaominghen
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二次电子像的立体感来源于边缘效应,上探头因包含有背散射电子,立体感降低了。


下面是一段asahi42老师说的原话:4800的上探头接受的绝大部分是SE,下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时,SE模式接收SE1和SE2,BSE(LV1~LV100)模式接收SE3。
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二次电子像的立体感来源于边缘效应,上探头因包含有背散射电子,立体感降低了。


下面是一段asahi42老师说的原话:4800的上探头接受的绝大部分是SE,下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时,SE模式接收SE1和SE2,BSE(LV1~LV100)模式接收SE3。


这个不知道该怎么理解,求教。懵了!
fengyonghe
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二次电子像的立体感来源于边缘效应,上探头因包含有背散射电子,立体感降低了。


下面是一段asahi42老师说的原话:4800的上探头接受的绝大部分是SE,下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时,SE模式接收SE1和SE2,BSE(LV1~LV100)模式接收SE3。


这个不知道该怎么理解,求教。懵了!


下探头立体感强,背散射无立体感,上探头立体感介于两者之间,是不是背散射电子的影响?
asahi42
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二次电子像的立体感来源于边缘效应,上探头因包含有背散射电子,立体感降低了。


下面是一段asahi42老师说的原话:4800的上探头接受的绝大部分是SE,下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时,SE模式接收SE1和SE2,BSE(LV1~LV100)模式接收SE3。


这个不知道该怎么理解,求教。懵了!


首先先明确定义三个概念:

电镜电子束(一次电子)在样品轰击点上直接激发出的SE,称为SE1;

一次电子与样品原子作用后发生偏转,偏转后的高能电子继续与样品别的位置的原子发生作用,产生SE,称为SE2;

SE1和SE2主要反映样品的表面形貌。

一次电子与样品作用,形成逸出样品表面的高能背散射电子。所有没有被探头接收到的高能BSE都有可能打到电镜样品仓内的其它部分,并以相同原理激发出SE信号,这类SE信号称为SE3。

SE3可以间接反映出当前扫描点上BSE信号量的大小。

然后请返回去看看是不是能够帮助理解~
gaominghen
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二次电子像的立体感来源于边缘效应,上探头因包含有背散射电子,立体感降低了。


下面是一段asahi42老师说的原话:4800的上探头接受的绝大部分是SE,下探头接收相当一部分的BSE。使用上探头时,SE模式接收SE1和SE2,BSE(LV1~LV100)模式接收SE3。


这个不知道该怎么理解,求教。懵了!


下探头立体感强,背散射无立体感,上探头立体感介于两者之间,是不是背散射电子的影响?


下探头的立体感要好于上探头,下探头主要接收背散射电子,而您说背散射电子无立体感,这不是矛盾吗?????
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