主题:【已应助】求助文献1篇

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wxwanglai
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【序号】:1
【作者】:Enrico Prati
【题名】:Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors
【期刊】:Nanotechnology
【年、卷、期、起止页码】:
【全文链接】:http://iopscience.iop.org/0957-4484/23/21/215204/pdf/0957-4484_23_21_215204.pdf
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andylau88888
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