主题：【求助】SEM中信号检测相关问题

原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:
确实如此，但是没清楚你说的什么。转不转化与探头有什么关系？难道他们不是闪烁体材质

原文由 驰奔仪器(SH103843) 发表: 闪烁体材质一般需要10KV高压才会产生足够的信号， 换句话说，直接用闪烁体背散射探测器，能量低于10KeV的BSE探测效率低下。如果转化一下，就不存在低能电子探测效率低下问题。场发射扫描电镜的加速电压常常设置在3kv以下，很显然最大能量BSE才3kev，如此BSE去直接轰击闪烁体，信号水平应该会很差。------------之前就是这个意思，重新说了一遍！

原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:
闪烁前面加了10KV高压的啊！蔡司的BSE探头就可以探测2KV的BSE电子！

原文由 驰奔仪器(SH103843) 发表: 真不好意思，之前以为楼主知道闪烁体特点， 你不明白说什么情有可原。蔡司BSE探头可以探测2Kev 的BSE电子， 不知道是什么类型的探测器！如果是环形半导体背散射电子探测器，看下图你就知道，Bse探测效率和加速电压关系。黑线是不久过去的技术蓝线是现在牛逼的技术不管蔡司还是啥别的电镜，在基础材料和技术方面应该不会有太大差异。半导体固体探测器相对 BSE到SE转化器+闪烁体光电倍增管探测器有两个明显缺陷:1、信噪比差2、频带宽度差

原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:
他们的当然也是闪烁体的啊，闪烁体前面都会加高压，因此我觉得背散射电子的探测即使不用转换成SE依然可以用用闪烁体材质的探测，无非就是背散射电子相对于SE很难用电压去吸引

原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:
他们的当然也是闪烁体的啊，闪烁体前面都会加高压，因此我觉得背散射电子的探测即使不用转换成SE依然可以用用闪烁体材质的探测，无非就是背散射电子相对于SE很难用电压去吸引

原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表: 任何能量的背散射电子都不需要用高压吸引，得到的仅仅是背散射图像，你没法添加二次电子像，人家的设计就可以做到，还可以控制二次电子的量。所以你的想法仅仅是一个背散射探测器而已。还不如传统的背散射探测器可以做到A+B/A-B 。

原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:
对的，确实如此，我可能没表达清楚，还有点疑问，闪烁体的如果加速电压不足10KV都应该先加一个10KV的高压吧？