原文由 光哥(xsh1234567) 发表:感谢光哥的回复,感觉光哥提到的方向的确有逻辑,我也有想过,在片子没到客户手里,表面P含量高的话,会不会扩散到片子内部,影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”,“地基”如果有问题,盖的楼也会出问题,例如PN结失效,或者其他的问题,没有搜到相关的案例
只知道其中一方面,但也只是很表面的知道:P是VA元素,作为授主,如果含量过高,有可能会影响PN型,后面如果掺杂什么的,掺杂物可能会不好控制——来自以前光伏的经验,不一定能适用在wafer里面
再整理下:
硅料、硅片做得纯度这么高,可能就是获得一个很“干净”的基底,然后后续的工艺,如果想把它做成P型或者N型,只要计算好掺杂量,再控制注入即可。但如果基底本身就不够“干净”,那么掺入的量就得好好计算了,极端一点如果每张硅片的基底中P/N型元素含量都不一样的话,那每张硅片在工艺进行之前都需要先测试下相应的元素,然后再下一步,那这还怎么搞
原文由 Resulotion(Insp_81b015ea) 发表:感谢回复,的确量测监控部分很重要,量测P的方法有建置,干扰也有效去除了,只是单纯好奇P对下游的影响这个问题,看来这是个大问题,可能不同客户的不同应用,带来的影响也不尽相同
这个有统计和概率在里面,一般人很难说出这而这者的关联性。需要大量数据分析才能得出,即使半导体行业多年经验的人也不一定能说清楚,而且造成IC的缺陷数因子有很多,谁能说清楚P杂质参杂就是哪个缺陷的原因。我觉得发现和改善问题最重要,为什么高了,是生产过程中哪个地方出了问题,怎么解决。或是测试方法有没有问题,如何控制测试过程中的质谱干水平扰降到最低,仪器相关参数设置是否合理。我觉得这些是最重要的。