主题:【求助】半导体行业,单晶硅片表面如果磷元素含量过高,会对下游IC带来哪些影响?

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DK666
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如题,半导体行业,单晶硅片表面如果磷元素含量过高,会对下游IC带来哪些影响?如果有相关的资料说明的话,最好附一下相关的理论资料,感谢!
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123
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timstoicpms
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这儿是分析检测版面,你问的这些是“肉食者鄙”操心的。
大家别回复,这人在套话

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原文由 timstoicpms(timstoicpms) 发表:
这儿是分析检测版面,你问的这些是“肉食者鄙”操心的。
大家别回复,这人在套话

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你这人好奇怪,我只是一名做单晶硅片的实验室人员,想了解下环境Ph对下游有什么影响,哪儿来的套话的说法?莫名其妙的
DK666
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原文由 123(m3149125) 发表:
这个找个商业的咨询公司给做个调查报告吧
当我没问吧,简单问个问题,不知道有些人为什么要曲解,真是好笑
Resulotion
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这个有统计和概率在里面,一般人很难说出这而这者的关联性。需要大量数据分析才能得出,即使半导体行业多年经验的人也不一定能说清楚,而且造成IC的缺陷数因子有很多,谁能说清楚P杂质参杂就是哪个缺陷的原因。我觉得发现和改善问题最重要,为什么高了,是生产过程中哪个地方出了问题,怎么解决。或是测试方法有没有问题,如何控制测试过程中的质谱干水平扰降到最低,仪器相关参数设置是否合理。我觉得这些是最重要的。
光哥
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只知道其中一方面,但也只是很表面的知道:P是VA元素,作为授主,如果含量过高,有可能会影响PN型,后面如果掺杂什么的,掺杂物可能会不好控制——来自以前光伏的经验,不一定能适用在wafer里面

再整理下:

硅料、硅片做得纯度这么高,可能就是获得一个很“干净”的基底,然后后续的工艺,如果想把它做成P型或者N型,只要计算好掺杂量,再控制注入即可。但如果基底本身就不够“干净”,那么掺入的量就得好好计算了,极端一点如果每张硅片的基底中P/N型元素含量都不一样的话,那每张硅片在工艺进行之前都需要先测试下相应的元素,然后再下一步,那这还怎么搞
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2022/5/21 10:38:40 Last edit by xsh1234567
gz07apple
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这个论坛里,绝大多数都没有半导体经验。你真想问,也应该专门去咨询做半导体失效分析的人员
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原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
只知道其中一方面,但也只是很表面的知道:P是VA元素,作为授主,如果含量过高,有可能会影响PN型,后面如果掺杂什么的,掺杂物可能会不好控制——来自以前光伏的经验,不一定能适用在wafer里面

再整理下:

硅料、硅片做得纯度这么高,可能就是获得一个很“干净”的基底,然后后续的工艺,如果想把它做成P型或者N型,只要计算好掺杂量,再控制注入即可。但如果基底本身就不够“干净”,那么掺入的量就得好好计算了,极端一点如果每张硅片的基底中P/N型元素含量都不一样的话,那每张硅片在工艺进行之前都需要先测试下相应的元素,然后再下一步,那这还怎么搞
感谢光哥的回复,感觉光哥提到的方向的确有逻辑,我也有想过,在片子没到客户手里,表面P含量高的话,会不会扩散到片子内部,影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”,“地基”如果有问题,盖的楼也会出问题,例如PN结失效,或者其他的问题,没有搜到相关的案例
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原文由 Resulotion(Insp_81b015ea) 发表:
这个有统计和概率在里面,一般人很难说出这而这者的关联性。需要大量数据分析才能得出,即使半导体行业多年经验的人也不一定能说清楚,而且造成IC的缺陷数因子有很多,谁能说清楚P杂质参杂就是哪个缺陷的原因。我觉得发现和改善问题最重要,为什么高了,是生产过程中哪个地方出了问题,怎么解决。或是测试方法有没有问题,如何控制测试过程中的质谱干水平扰降到最低,仪器相关参数设置是否合理。我觉得这些是最重要的。
感谢回复,的确量测监控部分很重要,量测P的方法有建置,干扰也有效去除了,只是单纯好奇P对下游的影响这个问题,看来这是个大问题,可能不同客户的不同应用,带来的影响也不尽相同
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原文由 gz07apple(gz07apple) 发表:
这个论坛里,绝大多数都没有半导体经验。你真想问,也应该专门去咨询做半导体失效分析的人员
谢谢建议
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