实战宝典 原创大赛 仪器问答 仪友会 总帖：8027946今日发帖：324 我的社区 签到
快速导航 采购仪器 提醒
ICP-MS
版主:
入住本版
专家:
居民列表

主题：【分享】【实战宝典】硅片需要进行哪些分析？

浏览0 回复0 电梯直达
小官人-闭关修炼中
头像
结帖率：
100%
关注：0 |粉丝：0
新手级： 新兵
发表于：2022/07/05 13:57:28 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
问题描述：硅片需要进行哪些分析？
解答：
控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质（包括碱和碱土元素、过渡金属）都可能会导致器件发生缺陷，如击穿电压或高暗电流。常规分析的硅主要有两种类型：硅片表面和体硅。硅片表面的分析最常用的方法是化学气相分解（VPD），包括使用极少量的酸（通常是HF）滴一滴在表面收集晶圆表面上的杂质。这样得到的样品体积通常约为200μL。对于体硅的分析，一般使用非常强的氢氟酸（HF）将硅完全消解。

以上内容来自仪器信息网《ICP-MS实战宝典》
为您推荐
近期热榜
热门活动
专属顾问快速对接
获取验证码
立即提交
相关阅读
猜你喜欢 最新推荐 热门推荐
头像
高级回复 发表评论
品牌合作伙伴
岛津
日立科学仪器
珀金埃尔默仪器（上海）有限公司（PerkinElmer）
日本电子株式会社
丹纳赫
安捷伦
赛默飞世尔科技
普析通用
欧波同
天美
天瑞仪器
德国耶拿
海能技术
马尔文帕纳科
磐诺科技
上海仪电科仪
梅特勒托利多
聚光科技
莱伯泰科
盛瀚
多宁生物
丹东百特
科哲
卓立汉光
屹尧科技
华谱科仪
宝德仪器
优莱博
HORIBA
布鲁克核磁