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原文由 JOE HUI(xurunjiao5339) 发表:谢谢
楼主，除测试前清洗进样系统外 ，还需要考虑测试前清洗系统后测试下空白，排查系统是否正常，初次之外，可以考虑针对痕量金属前处理测试，配备专用器皿，与其它项目器皿区分开来，避免交叉污染，还有根据实际使用情况，及时更换旧器皿，以免对分析测试结果造成影响，实验室还可以针对痕量金属分析设置专门的酸缸，浸泡酸液可以是百分20体积比的硝酸，并定期测试浸泡液 ，根据酸缸的量及使用频率及时更换酸液，其次器皿酸泡后要先用自来水清洗后再考虑超声波清洗 最后纯水清洗，上烘箱烘干 ，器皿考虑烘干后使用密封袋密封，避免污染，人员操作戴手套避免手直接接触，其次使用试剂等必须是优级纯或者电子级，要上机测试试剂，确保试剂空白低，符合要求等。
原文由 光哥(xsh1234567) 发表:对，是5ppb以内了。
JJF这个标准和你从事的行业没多少关系。
查找下多晶硅表金属的分析标准，国标方法（GB号忘了）这个其实已经算蛮成熟的了。
确实要说注意事项，无非是：酸、水、环境、操作的细节。主要还是细节方面，比如Cr、Fe、Cu可以用NH3模式也可以用Cool Plasma模式或者CP+反应气模式等。一言难尽，请教你的前辈或者等工程师上门教你吧。
酸缸之类的，只适用于常规的分析领域，不适合泛半导体的。另外器皿清洗完成之后也不建议烘干，用稀硝酸装满。
PS：现在表金属五个元素总和是不是事实上到5ppb或者以内了？
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