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主题：【已应助】SMIS的优势

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发表于：2024/06/30 16:46:17 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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推荐答案：123回复于2024/07/01
当固体样品被几keV能量的一次离子溅射时，从靶发射出来的一部分颗粒被电离。二次离子质谱法是使用质谱仪分析这些二次离子。离子轰击下固体表面的二次离子发射提供了有关其最上面的原子层的元素、同位素和分子组成的信息。根据化学环境和溅射条件（离子、能量、角度），二次离子产生率会有很大的变化。这会增加该技术的量化方面的复杂性。无论如何，SIMS被公认为最灵敏的元素和同位素表面分析技术。

SIMS技术为氢到铀及其以上的所有元素（许多元素的检出限低至ppb级）提供了极高灵敏度、高横向分辨率映射（低至40纳米）以及非常低的本底的独特组合，可实现高动态范围（超过5个数量级范围）。这种技术本身具有“破坏性”的性质（物质溅射）。它可以应用于可在真空下保存的任何类型的固体材料（绝缘体、半导体、金属）。
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2024/7/1 9:47:51 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
当固体样品被几keV能量的一次离子溅射时，从靶发射出来的一部分颗粒被电离。二次离子质谱法是使用质谱仪分析这些二次离子。离子轰击下固体表面的二次离子发射提供了有关其最上面的原子层的元素、同位素和分子组成的信息。根据化学环境和溅射条件（离子、能量、角度），二次离子产生率会有很大的变化。这会增加该技术的量化方面的复杂性。无论如何，SIMS被公认为最灵敏的元素和同位素表面分析技术。

SIMS技术为氢到铀及其以上的所有元素（许多元素的检出限低至ppb级）提供了极高灵敏度、高横向分辨率映射（低至40纳米）以及非常低的本底的独特组合，可实现高动态范围（超过5个数量级范围）。这种技术本身具有“破坏性”的性质（物质溅射）。它可以应用于可在真空下保存的任何类型的固体材料（绝缘体、半导体、金属）。
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