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主题：【求助】在基片上镀膜或生长的薄膜该如何制成TEM试样而不使其受到破坏？

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xcf_xu
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发表于：2007/05/15 13:08:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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2007/5/15 15:37:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
如果不关心镀层和基底的结合界面，而且膜镀完后可以取下来的话，制样相对简单，冲个3mm的片，然后减薄，减薄的成功率也较高，有薄区即可观察。
否则的话，一般需要作横向的包埋，然后机械磨，手工磨，冲片，凹坑，减薄..相对麻烦一些，而且由于减薄位置要求相对严格，有失败率。
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2007/5/23 19:01:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
普通的冲片－凹坑－减薄方法成功率是非常低的，基本上不可能。我是用磁控溅射做薄膜的。建议你可以采用NaCl做基底，可能耐到600度以上。在用水容调基板。用铜网捞起薄膜，也可以减薄。希望能解决你的困难
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sun-guo
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2007/9/8 9:42:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 outstanding 发表:
普通的冲片－凹坑－减薄方法成功率是非常低的，基本上不可能。我是用磁控溅射做薄膜的。建议你可以采用NaCl做基底，可能耐到600度以上。在用水容调基板。用铜网捞起薄膜，也可以减薄。希望能解决你的困难



截面样品的制备只是需要高超的技巧和耐心而已，经过训练，成功率还是可以保障的，没有“基本上不可能”一说。另外，如果条件允许的话，也可以用FIB制备薄膜样品
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