BF998E6327HTSA1是
Infineon英飞凌科技生产的一款硅N沟道MOSFET射频放大器。这款器件专为射频环境设计,适用于放大和切换电子信号。以下是该产品的详细介绍:
基本特性 最大功耗:200 mW
工作温度范围:-55 °C至150 °C
最大频率:1000 MHz
工作模式:耗尽模式
封装与运输
封装:卷带包装,便于快速安装和安全交付
技术规格 短通道晶体管:具有高S / C品质因数
适用频率:适用于低噪音、高达1 GHz的增益控制输入
环保标准:无铅,符合RoHS标准
质量标准:符合AEC Q101标准
应用领域 机顶盒
电视
车载收音机
电气参数 门输入电容(Cg1ss):2.1 pF
输出电容(Cdss):1.1 pF
正向跨导(gfs):24 mS
功率增益(Gp):20 dB @ 800 MHz
最大连续漏电流(ID):30 mA
最大漏源电压(Vds):12 V
噪声系数(F):1.80 dB @ 800 MHz
总功耗(Ptot max):200 mW
封装类型 封装:SOT143
深圳市立维创展科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。