主题:【讨论】雪崩光电二极管与光电倍增管的放大倍数比较

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白水山石
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近晶参加了某仪器公司的培训,在比较不同公司粒度仪性能的时候,有一项是检测器的比较,某公司说其所用的检测器雪崩式光电二极管比光电倍增管的放大倍数更大,但从我现在的了解和原理上说,还应是光电倍增管的放大倍数要大,哪位帮我解释和比较一下.
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    光电二极管和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但是,在电路中不是用它作整流元件,而是通过它把光信号转换成电信号。那么,它是怎样把光信号转换成电信号的呢?大家知道,普通二极管在反向电压作用在处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
    雪崩光电二极管由于具有内部光电流增益的半导体光电子器件,又称固态光电倍增管,主要应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点,适用于以微弱光信号的探测和接收,在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。与一般的半导体光电二极管相比,雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点,特别当系统带宽比较大时,能使系统的探测性能获得大的改善。
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原文由 tianzhen 发表:
近晶参加了某仪器公司的培训,在比较不同公司粒度仪性能的时候,有一项是检测器的比较,某公司说其所用的检测器雪崩式光电二极管比光电倍增管的放大倍数更大,但从我现在的了解和原理上说,还应是光电倍增管的放大倍数要大,哪位帮我解释和比较一下.
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光电倍增管的光阴极和阳极之间被加了许多倍增极(10个左右),放大倍数可达到10^8~10^10

雪崩二极管的信噪比和暗电流比光电倍增管大,受此限制,雪崩二极管的增益一般在10^2~10^4,只有硅管的放大倍数可以达到10^4,锗管的放大倍数以200为宜。
seapowersensor
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zhida98
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我也要采购雪崩光电二极管。

现在对这个雪崩光电二极管存在技术问题还没有解决,很希望能有高手指点下呀,急呀,我现在就是想测出雪崩光电二极管在没有光情况下,在电流3UA时刻反向击穿电压值,希望有用过雪崩光电二极管的工程师能与我联系,请教下,我的QQ:1365162996
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