佩恩教授总结的光在硅材料损耗降低的演进历程:
1966年高锟与霍克汉姆发表他们的著名文章;
1968年高锟与琼斯测量了块状硅的本征损耗为4dB/km;
1970年康你公司的Maurer, Keck, Schultz报道他们制造出掺钛的单模光纤损耗为17dB/km;
1972年6月Maurer, Keck, Schultz制造出掺锗的多模光纤损耗为4dB/km;
1973年贝尔实验室的约翰、MacChesney建立了制造光纤的改进的
气相化学沉积法;
1978年日本NTT制造出创纪录的在1.55微米波长处光纤损耗0.2dB/km。
可以看出1966年高锟提出光纤的损耗机制后,损耗降低的速度大大加快。
图中小孩头像为佩恩教授。佩恩教授出生于1944年,他在1966年还是个孩童。