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主题：【求助】如何低温下用交流的方法测量I--V

浏览0 回复3 电梯直达
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发表于：2010/05/21 21:21:54 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
想测量样品低温下的I--V，用交流的方法测量，用直流测量过，但是噪声太大了，所以想到了用锁相放大器测量电压，这样得给样品一个电流。用什么设备给样品一个激发交变电流呢？主要还是想测量样品在-10mv到10mv的IV，具体实现怎么实现阿，可能这个问题太简单了，还请版上的达人不吝赐教，说的越详细越好。另外，想用四端法测量，其中两个电极压在了重Si 掺杂的GaAs 上，另外两个电极压在了TiAu 上，压在Si 掺杂GaAs 上的电极的接触电阻大概在几十千欧姆，压在TiAu 上的两个电极的接触电阻很小，10几欧姆。我要测量的关键区域的电阻很小100欧姆左右，但是随电压变化的，理想情况可能变到无穷大，实际可能增加到千欧姆量级，用锁相放大器和其他的什么表怎么配合起来工作阿。在线等，急！！！！！！！！！
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2010/5/22 9:03:47 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
100+欧姆的电阻不难测，使用4点法可以不用考虑接触电阻影响。
实现方法可参考下文：
http://dx.doi.org/10.1063/1.3202284
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2010/5/22 16:25:39 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
4点法为什么对接触电阻没有影响呢？可以QQ交流么，498790980。谢谢
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2010/5/22 21:14:03 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 btvipvip(btvipvip) 发表:
4点法为什么对接触电阻没有影响呢？可以QQ交流么，498790980。谢谢

你可以参考我的毕业论文，重点看第四章。
http://bbs.instrument.com.cn/images/upfile/files/20100304/20103482956.pdf

我qq被盗7,8年了。。。
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