原文由lj919发表: 逃逸峰是指当进入探测器的X 射线光子能量高于探测器物质的吸收限能量时,因该物质对本身被激发的特征X 射线呈现出高度的透明,而导致这部分谢谢您的解释。恕我愚钝,还有点不明白:1.你所说两峰位间能量之差恰好等于探测器内气体的特征谱线能量~~这个峰是指脉冲高度分布曲线上的峰吧!?该图中横纵坐标分别代表什么呢?如何理解它呢?
能量的逃逸,结果在能谱上除了入射X 射线的主峰外,还会在较低能量位置出现一个逃逸峰,两峰位间的能量差恰好等于探测器物质的特征X 射线光子能量。
根据应用Si (Li) 探测器测得的一系列纯元素谱图,总结出识别逃逸峰的要点如下:
(1) 逃逸峰位置永远比主峰低1.74keV (SiKα的能量) 。
(2) 逃逸峰高度约为主峰的1/ 1000 到2/100 ,通常仅在强度取对数坐标的谱图中明显可见,而且原子序数大于30 的元素已基本不存在逃逸峰的影响。