主题:【第十届原创】X射线衍射半高宽表征位错密度的尝试

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      材料在穿、轧热变形形过程中会产生局部变形量、变形速率的差异,同时在后续热处理过程中,由于温度场分布的不均匀及加热冷却速度的不同,因此会在材料中不同程度的存在残余应力,而残余应力的差异直接体现在材料内部位错密度上。通过对公司产品质量异议的分析中发现,材料性能分布不均匀会引起诸多问题,如服役过程中产生应力集中、降低服役安全系数、使用寿命缩短、抗腐蚀敏感性差异大等。因此准确的测量材料中的位错密度能够分析性能不均匀的分布状态,能够从微观上对其进行定量分析,重要性不言而喻。因此开发X射线衍射法对材料的位错密度进行测量。
1. 位错密度及其对性能的影响
      位错密度 ( dislocationdensity):单位体积内位错线的总长度定义为位错密度,ρ=L/V,式中V为晶体的体积,L为体积V中各位错线长度的总和。为了方便研究,认为位错线都是平行的直线,则位错的密度等于垂直于位错线单位面积中穿过的位错数上式中N为S面积中穿过的位错数。
对材料来说,位错密度对材料的韧性,强度等有影响。位错密度越大,材料强度越大,塑性、韧性越不好。位错密度取决于材料变形率率的大小(穿轧过程中的变形)。在高形变率荷载下,位错密度持续增大,因为高应变率下材料的动态回复与位错攀岩被限制,因而位错密度增大,材料强度增大,同时通过热处理也可以改变材料的位错密度分布。
2、测试材料位错密度的方法
      位错密度的测量传统的方法是采用金相法,通过观察位错露头的个数,计算位错密度。高分辨电镜是个办法,也是很多人用的办法,但是做过相关研究的人都会知道该方法的固有缺陷。(1)好的高分辨电镜晶格花样不宜获得,就算是可以获得,也通常只在一个很小的区域,因此得到的值缺乏统计性。(2)获得高质量高分辨花样后,位错通常是很难辨别的,因为晶格通常不是很清楚,通常要通过傅立叶变化的方法去处理花样,但是傅立叶变换会引入很多误差,有些本来不是位错的地方看起来也像是位错,因为透射电镜晶格像的面积非常小,所以如果多出几根位错也会使结果产生数量级的误差。
通过X射线衍射方法测量金属材料是目前较为认可的手段,不但速度快、效率高,而且相对准确性高。因此最终选择X射线衍射方法测定材料中的位错密度。
3、X射线衍射法测量位错密度的基本原理
      对于理想完整的单晶体,X射线Bragg衍射峰的体征半高宽β0很小,而实际测试到得半高宽要比本征半高宽大很多。影响其半高宽展宽的因素有很多,入射束发散度βd、晶体中存在的缺陷βa等。
      实际测量的半高宽可以表达为这些因素的平方和

                          β2m=β20+β2d+β2a                          (1)



入射束发散度βd的加宽主要取决于样品的曲率半径和入射束的限束装置,对于高分辨率X射线衍射来说,以上的加宽很小,可以忽略,因此对于我们测试到的Bragg衍射峰的半高宽βm,可以近似的认为

                        β2m≈β2a                                      (2)



其半高宽主要由位错加宽和晶粒尺寸加宽两部分组成,根据谢乐公式

                        β=+tanθεm                          (3)



式中β为扫描峰宽FWHM,θ为Bragg角,λ为波长,L为生长方向位错的距离,εm为生长方向上的非均匀应变。
关于位错加宽,根据Gay的分析,可以用位错密度D和位错的Burgers适量b的经验公式表示

                  D=β2/2ln2πb2                                    (4)


将测试数据带入式(3)和(4),可以计算样品由位错产生的β。
5、具体应用
典型材料为研究对象进行测量(结果见表1),衍射峰宽=晶粒尺寸半峰宽+位错密度半峰宽,而晶粒尺寸引发的半峰宽=K×
因此,衍射峰宽=K×+位错密度半峰宽
表1 测量数据

 半高宽晶粒尺寸位错密度半高宽

1

0.561

275

1.32231E-05

2

0.538

288

1.20563E-05

3

0.569

271

1.36164E-05

4

0.549

282

1.25748E-05

5

0.472

333

9.01803E-06

6

0.513

304

1.08206E-05

7

0.51

306

1.06797E-05

8

0.448

354

7.97983E-06

9

0.591

259

1.49074E-05

10

0.611

250

0.000016

11

0.552

280

1.27551E-05



使用谢乐公式D=Kλ/Bcosθ,其中K为常数0.89,λ为波长0.154nm,B为积分半高宽,D为晶粒尺寸,其中B为XRD测试的半高宽角度转换成弧度而得。由谢乐公式得出晶粒尺寸,代入到式中,最终得到的总积分半高宽=晶界引起的积分半高宽+晶内位错引起的积分半高宽
总积分半高宽数值原始角度数值与转换后的积分半高宽如下表:
表2 转换后的积分半高宽情况
 角度(度)弧度晶粒尺寸(A)晶界引起的积分半高宽晶内位错引起的积分半高宽

1

0.5610.00979

275

0.00776

0.00203

2

0.5380.00939

288

0.00741

0.00198

3

0.5690.00993

271

0.00787

0.00205

4

0.5490.00958

282

0.00756

0.00201

5

0.4720.00823

333

0.00641

0.00183

6

0.5130.00895

304

0.00702

0.00193

7

0.510.0089

306

0.00697

0.00193

8

0.4480.00782

354

0.00603

0.00179

9

0.5910.01031

259

0.00824

0.00207

10

0.6110.01066

250

0.00853

0.00213

11

0.5520.00963

280

0.00762

0.00201


6、结论
    用X射线衍射的方法对材料材料的位错密度进行了定量分析,建立了晶粒尺寸、半高宽、晶界位错密度及晶内位错密度的关系,结果相对准确可靠,可以为以后材料内部织构的分析提供重要信息,能更更好的探索材料内部结构与外在性能的关系,为提高产品质量及新钢种的研发提供了新的方向。
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中性密度衰减片,中性密度滤光片,ND滤光片具有良好的光束衰减均匀性能,可以均匀减少镜头进光量而不改变景物原本颜色和反差。
中性密度滤波片规格
Specification
Dimensions20 mm × 20 mm
Thickness1.1 mm
Design Wavelength400 nm ~ 700 nm
Transmission15%、50%、75%

http://www.felles.cn/lvguangpian/shuaijianpian.html
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