主题:【求助】SEM中信号检测相关问题

浏览0 回复19 电梯直达
Insm_5225054a
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1.SEM中背散射电子转化成二次电子然后来检测,这种转化原理是什么?例如日立电镜。
2.ExB是日立SEM中用来检测SE而又不影响入射电子束的技术,那Super ExB是什么?有什么不同?
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fengyonghe
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1.二次电子能量与入射电子能量相同,激发任何物体都会产生二次电子
2.Super ExB可以调节图像中二次电子像所占的比例。la100是完全抑制二次电子,看的基本就是背散射,图像没有立体感。la0,是不抑制,二次和背散射都有,图像有立体感。
Insm_5225054a
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原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:1.二次电子能量与入射电子能量相同,激发任何物体都会产生二次电子2.Super ExB可以调节图像中二次电子像所占的比例。la100是完全抑制二次电子,看的基本就是背散射,图像没有立体感。la0,是不抑制,二次和背散射都有,图像有立体感。
谢谢!按你所述,1,就是背散射电子激发然后行程二次电子,间接去探测背散射电子,为什么不直接探测背散射电子,是因为环形探头的专利原因吗?2.LA是什么的缩写?ExB和SuperExB的结构是一致的吗?SU9000是SuperExB?
fengyonghe
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原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:
谢谢!按你所述,1,就是背散射电子激发然后行程二次电子,间接去探测背散射电子,为什么不直接探测背散射电子,是因为环形探头的专利原因吗?2.LA是什么的缩写?ExB和SuperExB的结构是一致的吗?SU9000是SuperExB?
据介绍,这样设计的目的是在二次电子中加入背散射电子使图像更加丰富。当设置LA=100时,二次电子被完全抑制,就只有背散射图像。使用更加灵活。
Insm_5225054a
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原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表: 据介绍,这样设计的目的是在二次电子中加入背散射电子使图像更加丰富。当设置LA=100时,二次电子被完全抑制,就只有背散射图像。使用更加灵活。
您说的这种情况是针对uper detector吧?top detector主要是探测HA BSE成份像吧?
驰奔仪器
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转化探测器主要根据是低能电子具有更高的二次电子产额特殊设计,转化极使用特殊材料还可对背散射电子起到一定放大作用。
这种设计有年头了,不足为奇!
根本原因:半导体对低能背散射电子探测效率低下,使用这个方法很大程度上就解决问题了。
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2018/7/28 22:00:07 Last edit by SH103843
Insm_5225054a
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原文由 驰奔仪器(SH103843) 发表:转化探测器主要根据是低能电子具有更高的二次电子差额特殊设计,转化极使用特殊材料还可对背散射电子起到一定放大作用。这种设计有年头了,不足为奇!根本原因:半导体对低能背散射电子探测效率低下,使用这个方法很大程度上就解决问题了。
你好,并非非得转化才能探测低能背散射电子,因为除了半导体背散射探测器,还有闪烁体材质的啊,好多厂商都有在用的!
驰奔仪器
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原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:
你好,并非非得转化才能探测低能背散射电子,因为除了半导体背散射探测器,还有闪烁体材质的啊,好多厂商都有在用的!


闪烁体需要高压才有好的量子效率,否则没法用。
镜筒内空间太小,
另外高手们都有自己的秘笈,小小的转化膜层,估计就得个博后搞很长时间
Insm_5225054a
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原文由 驰奔仪器(SH103843) 发表: 闪烁体需要高压才有好的量子效率,否则没法用。镜筒内空间太小,另外高手们都有自己的秘笈,小小的转化膜层,估计就得个博后搞很长时间
确实如此,但是没清楚你说的什么。转不转化与探头有什么关系?难道他们不是闪烁体材质
Insm_5225054a
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原文由 Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:确实如此,但是没清楚你说的什么。转不转化与探头有什么关系?难道他们不是闪烁体材质
我觉得他们转化的目的是便于采集信号,因为他们是侧探头,低能电子便于吸引
fengyonghe
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这个探测器的目的就是使用更加方便,同时又兼顾了低能背散射电子                                                                                           
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