主题:【讨论】二次电子信号与原子序数的关系

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我们通常认为二次电子(SE)与原子序数之间没有关系,而背散射电子(BSE)产额则随原子序数的增大而增大。事实上,SE也和原子序数之间有一定的关系。

二次电子产额在总体上随着原子序数的增大而增加。在原子序数Z 小于20时,δ 随着原子序数Z 的增加也有所增加;当原子序数Z 大于20时,二次电子产额基本上不随原子序数变化,只有Z 小的元素的二次电子产额与试样的组分有关。所以二次电子通常情况下用于观察表面形貌,而不用于观察成分分布;

不过在原子序数较低或差异较大的时候,二次电子也能看出原子序数衬度。

欢迎版内的各位老师上传电镜照片来验证这个理论。

对这个理论我自己有一个想法:根据SE的类型,其中有背散射电子激发的二次电子信号(SE3),那么这种SE是否可以说就和原子序数有一定的关系呢?是否这是导致上述理论成立的原因呢???
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